碳化硅（SiC）激光剥离是一种利用激光技术从碳化硅衬底上剥离薄膜的方法。这种技术在半导体产业中具有重要的应用，尤其是在制造高性能电子器件和光电子器件方面。碳化硅由于其优异的热学、电学和力学性能，在高温、高压、高频等极端条件下工作的电子器件中尤为重要。
碳化硅激光剥离过程的基本原理是：
1. 选择适合的激光源：利用特定波长的激光，通常是紫外激光，因为紫外激光能量高，可以精确地对材料进行加工。
2. 局部加热：激光束聚焦在碳化硅衬底与待剥离膜之间的界面上，激光的热效应会局部加热这个区域。
3. 热膨胀：由于激光加热导致的热膨胀，碳化硅衬底与薄膜之间的界面会产生应力，当应力达到一定程度时，薄膜会从衬底上分离。 4. 控制剥离过程：通过控制激光的能量、脉冲宽度、重复频率和扫描速度等参数，可以精细控制剥离过程，以获得高质量的薄膜。
碳化硅激光剥离技术的关键优势在于其非接触性质和高精度，能够在不损伤薄膜的情况下进行剥离。此外，这种方法适用于大面积、均匀的剥离，对于制备大尺寸、高质量的碳化硅基电子器件尤为重要。
在实际应用中，这种技术可以用于生产氮化镓（GaN）基LEDs、功率器件和其他高性能半导体器件。随着激光技术的不断进步，碳化硅激光剥离方法也在不断优化，以期达到更高的剥离效率和薄膜质量。
