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专利名称：一种栅控二极管半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：王鹏飞,林曦,孙清清,张卫申请号：CN201210061478.6申请日：20120311公开号：CN102592997A公开日：20120718
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体器件的制造方法特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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