专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种半导体器件的栅极结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：李学会
申请号：CN201510486078.3申请日：20150810公开号：CN105140273A公开日：20151209
摘要：本发明涉及一种半导体器件的栅极结构，包括位于衬底上的栅氧化层，位于栅氧化层上的场氧结构，以及位于栅氧化层和场氧结构上的多晶硅栅；场氧结构的宽度小于第一栅极结构和第二栅极结构之间相互背离的两面的距离、且大于第一、二栅极结构之间的间隔，第一、二栅极结构之间的间隔区域在场氧结构上的正投影不应超出场氧结构的边缘。本发明还涉及一种半导体器件的栅极结构的制造方法。本发明与现有功率VDMOS和IGBT芯片的制造工艺兼容与一致，不增加工艺难度，不增加光刻次数，比导通电阻小，栅电荷Qg较小，漏电流Idss小，可靠性高，芯片面积较小，可大大减小生产成本，可用于功率VDMOS和IGBT芯片的大规模、低成本、高可靠性制造。
申请人：深圳深爱半导体股份有限公司
地址：518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：吴平
更多信息请下载全文后查看
