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专利名称：一种栅控二极管半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：王鹏飞,刘晓勇,孙清清,张卫申请号：CN201210001479.1申请日：20120105公开号：CN102543723A公开日：20120704
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明方法工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，而且本发明通过低温工艺生产，特别适用于基于柔性衬底的半导体器件以及平板显示、相变存储器的读写器件的制造中。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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