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专利名称：一种半导体绝缘栅双极型晶体管结构专利类型：实用新型专利发明人：王辉,韩伟
申请号：CN202020537846.X申请日：20200410公开号：CN212412060U公开日：20210126
摘要：本实用新型公开了一种半导体绝缘栅双极型晶体管结构，包括外壳、活塞杆、缓冲腔、电极、内管、夹紧板、第一弹簧、橡胶垫、固定孔、底板、活动槽、固定管、底座、第二弹簧、第一连接板、第二连接板、推板、滑轨、保护套、滑块、推杆、缓冲垫、固定板、套管、第三弹簧和活动杆。本实用新型可以通过缓冲腔内部的固定板、套管、第三弹簧、活动杆和橡胶垫可以起到缓冲的效果，可以起到保护内管效果，而且通过夹紧板和第一弹簧可以方便固定压紧内管；可以通过底板、活塞杆、活动槽和固定管便于讲内管安装在外壳内部，通过保护套可以保护活塞杆，而且通过第二弹簧、第一连接板、第二连接板、推板、滑轨、滑块、推杆和缓冲垫可以起到保护内管的效果。
申请人：深圳市麦思浦半导体有限公司
地址：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道盐田社区银田路4号华丰宝安智谷科技创新园A座801-803
国籍：CN
代理机构：深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)
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