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专利名称：一种金属栅半导体器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：平延磊,鲍宇,肖海波申请号：CN201210211787.7申请日：20120625公开号：CN103515235A公开日：20140115
摘要：一种金属栅半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上形成栅堆栈层，包括依次层叠的界面层、介电层、覆盖层、牺牲栅材料层、硬掩膜层；蚀刻所述栅堆栈层以在所述衬底上形成虚设栅极结构；在所述衬底中形成源漏极；蚀刻所述虚设栅极结构的所述硬掩膜层和所述牺牲栅材料层以形成沟槽；填充所述沟槽形成金属栅极。其可以解决金属栅半导体器件的制造的金属栅替代（RMG）步骤中所使用的CMP方法不易控制而无法得到理想厚度/高度的金属栅极的问题。使用本发明方法所制造的半导体器件可获得统一的金属栅极高度，改善金属栅极的填充效果，避免源/漏极暴露并能改善半导体的电学性能。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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