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专利名称：一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈国华,宋俊,刘涛涌,袁昌来申请号：CN201310262140.1申请日：20130627公开号：CN103342466A公开日：20131009
摘要：本发明涉及一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法为：以SrCO、BaCO、NbO、HBO为起始原料，按照aSrO·bBaO·cNbO·dBO摩尔比配料，经球磨混料8h后烘干，在1300℃熔化保温30min，再经快速冷却、退火得到无气孔的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在21-143范围内可调，直流击穿场强最高达1300kV/cm，储能密度最高可达5.71J/cm。
申请人：桂林电子科技大学
地址：541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
国籍：CN
代理机构：桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
代理人：罗玉荣
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