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专利名称：一种快速评估最优读电压的方法专利类型：发明专利发明人：伦建坤,郭超
申请号：CN201710163990.4申请日：20170320公开号：CN106981302A公开日：20170725
摘要：本发明公开了一种快速评估最优读电压的方法，其特征在于包括统计阶段和校准阶段；统计阶段通过样本统计获取样本的存储单元电压分布曲线的波谷位置与实际最优读电压的差值dv、插值函数和采样间隔；校准阶段：根据统计阶段获取的差值dv、插值函数和采样间隔快速评估实际FLASH的要操作的数据块的最优读电压。本发明通过采用间隔采样、合并法和插值函数对数据进行评估，大幅度降低了评估的数据量提升了评估效率，同时增加统计评估的最优电压与实际最优电压的位置差异，对评估的电压做进一步的修正，提高了准确度。
申请人：记忆科技(深圳)有限公司
地址：518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F
国籍：CN
代理机构：广东广和律师事务所
代理人：叶新民
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