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专利名称：用低温精密回蚀和钝化过程制备的具有选择性发射
极的晶体硅光伏电池
专利类型：发明专利
发明人：利奥尼德·B·鲁宾,布拉姆·萨德利克,亚历山大·奥西波
夫
申请号：CN200880130587.0申请日：20080728公开号：CN102105999A公开日：20110622
摘要：在光伏(PV)晶体硅半导体晶片中形成选择性发射极的方法，包括在晶片的前侧面上形成掩模以在前侧面上产生遮蔽和未遮蔽区域。在前侧面的未遮蔽区域电化学形成第一氧化硅层，使得氧化硅层至少延伸至晶片的发射极中的盲区。除去掩模并回蚀第一氧化硅层直至基本除去全部第一氧化硅层。然后在前侧面上电化学形成第二氧化硅层，使得第二氧化硅层具有足够的厚度以钝化前侧面。所述方法可选择性地包括：通过在没有半导体结的PV晶体硅半导体晶片的未遮蔽区域中电化学形成的第一氧化硅层扩散掺杂剂从而形成发射极，然后回蚀第一氧化硅层并用电化学形成的第二氧化硅层钝化。
申请人：达伊4能量有限公司
地址：加拿大不列颠哥伦比亚省
国籍：CA
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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