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专利名称：半导体层叠体、半导体装置,以及它们的制造方法专利类型：发明专利
发明人：富泽由香,池田吉纪,今村哲也申请号：CN201310408737.2申请日：20111209公开号：CN103560142A公开日：20140205
摘要：提供半导体装置的制造方法。另外，能使用该方法获得的半导体装置，以及能够用于该方法的分散体。制造半导体装置（500a）的本发明的方法包含下述工序（a）～（c），且第1掺杂剂注入层（52）的晶体取向与由半导体元素形成的半导体层或基材（10）的晶体取向相同：（a）对层或基材的特定部位适用含有经过掺杂的粒子的分散体，和（b）将适用的分散体干燥，形成未烧结掺杂剂注入层，以及（c）通过对未烧结掺杂剂注入层进行光照射，对层或基材的特定部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与层或基材一体化的掺杂剂注入层。
申请人：帝人株式会社
地址：日本大阪府大阪市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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