专利名称：齐纳二极管及其制造和封装方法专利类型：发明专利发明人：宋基彰,金根扈申请号：CN200510131815.4申请日：20051215公开号：CN1812059A公开日：20060802
摘要：本发明公开一种齐纳二极管及其制造和封装方法，去除了暴露扩散层的接触孔形成过程，从而能够简化制造工艺，并且不接触电极线的扩散长度由朝向杂质扩散的交叉长度来确定，从而能够降低齐纳阻抗值。另外，在扩散之后采用湿蚀刻法来去除扩散掩模，使得扩散层不会被损坏，从而能够改善齐纳二极管特性。
申请人：LG电子有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京金信立方知识产权代理有限公司
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