专利名称：一种非对称双栅结构MOSFET阈值电压解析模型专利类型：发明专利发明人：辛艳辉,袁合才申请号：CN201810081144.2申请日：20180123公开号：CN108388697A公开日：20180810
摘要：本发明公开了一种非对称双栅结构MOSFET阈值电压解析模型，本发明根据非对称双栅结构和渐变掺杂沟道的特点，得到一定的边界条件。假设前栅沟道和背栅沟道均处于弱反型状态，基于沟道表面势抛物线近似的假设，通过二维泊松方程和边界条件，计算出前棚、背栅的表面电势。在此基础上，根据阈值电压的定义，推导得到前栅、背栅的阈值电压解析模型，其中前栅、背栅的阈值电压较小者为该结构的阈值电压解析模型。该模型也可以推广于非对称双栅均匀掺杂沟道、对称双栅均匀掺杂沟道、对称双栅渐变掺杂沟道等结构。该模型精度高、物理概念清晰，为模拟软件在研究双栅场效应晶体管器件时提供了一种快速的工具。
申请人：华北水利水电大学
地址：450045 河南省郑州市北环路36号
国籍：CN
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