专利名称：非易失性存储器结构及其制造工艺专利类型：发明专利
发明人：陈纬仁,徐德训,陈志欣申请号：CN201310603377.1申请日：20131125公开号：CN103904082A公开日：20140702
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器及其制造工艺，包括：一半导体基底，其上具有的一第一有源区、一第二有源区及一第三有源区是成列排列，该第一、第二及第三有源区由一隔离区相互隔开，该隔离区包括位于该第一有源区及该第二有源区之间的第一中介隔离区，以及位于该第二有源区及该第三有源区之间的第二中介隔离区；一选择栅晶体管形成于该第一有源区上；一浮栅晶体管形成于该第二有源区上，该浮栅晶体管是与该选择栅晶体管串接，该浮栅晶体管包括一浮栅，该浮栅是完全重叠覆盖住下方的第二有源区并部分重叠该第一及第二中介隔离区。
申请人：力旺电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
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