专利名称：一种非易失存储器写处理方法及装置专利类型：发明专利发明人：张晓伟
申请号：CN201910400133.0申请日：20190514公开号：CN111951854A公开日：20201117
摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器写处理方法及装置，该方法包括：在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线；对所述待处理存储块的目标编程字线施加第一编程电压；在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第二编程电压；其中，所述第二编程电压与所述第一编程电压的电压差值小于第一预设值。本发明实施例在两次相邻的编程电压之间，只是相差较小的电压增量，经过大量实验验证，当两次相邻的编程电压之间，只是相差较小的电压增量时，WL0可以得到比较窄的VT分布，进而避免初始字线WL0中出现写入的数据不能被正确读出的现象发生，有效增加待处理存储块的使用次数。
申请人：北京兆易创新科技股份有限公司,西安格易安创集成电路有限公司
地址：100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
国籍：CN
代理机构：北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人：莎日娜
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