专利名称：浅沟槽隔离的形成方法及半导体结构专利类型：发明专利发明人：宋化龙
申请号：CN201210226403.9申请日：20120702公开号：CN103531520A公开日：20140122
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离的形成方法及半导体结构，通过在沟槽内形成硅层，减小了用以形成浅沟槽隔离的沟槽的尺寸，从而可减小后续形成的浅沟槽隔离的尺寸；同时，由于在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化硅层，该衬垫氧化硅层的深度与现有的浅沟槽隔离的厚度相当，由此，在该衬垫氧化硅层的辅助下，所述浅沟槽隔离的隔离性能将不受影响。即相当于与现有的浅沟槽隔离的尺寸相比，由于硅层的存在导致最终形成的浅沟槽隔离的体积变小了，从而实现了浅沟槽隔离能在同样的隔离性能下，进一步减小浅沟槽隔离尺寸的目的。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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