专利名称：一种新型MOS开关栅增压电路专利类型：发明专利发明人：张剑云,张卫
申请号：CN200410089034.9申请日：20041202公开号：CN1614889A公开日：20050511
摘要：本发明为一种新型的MOS开关栅增压电路。在集成电路朝向深亚微米低压低功耗发展，由于MOS器件的非零导通电阻对开关电容电路的负面效应，遇到了很大的挑战。本发明提出的MOS栅增压电路，使得信号开关器件的栅电压跟输入信号无关，保持开关的导通电阻是常数，从而消除了信号的损失，而且在充电电容的电压传输路径中的开关导通电阻也跟信号无关，大大降低了信号的失真。另外，所有的NMOS开关电路的衬底始终接在电路的最低电平上，这样易于在普通的双井CMOS工艺上实现，可降低产品成本。本发明采用0.25μm 2.5V CMOS工艺，通过计算机辅助设计软件的仿真，表明可以适用于高速低电压开关电容电路。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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