专利名称：一种屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：单建安,梁嘉进,伍震威申请号：CN202010310099.0申请日：20200420公开号：CN111415992A公开日：20200714
摘要：一种屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决现有屏蔽栅沟槽型场效应管器件制备方法繁琐且成本较大的问题，本发明提供一种如下的技术方案：位于外延层中的一个以上相互平行的系列沟槽，该系列沟槽由相互连接的第一类沟槽和/或第二类沟槽构成，且系列沟槽通过不同形式设计的水平沟槽连接，在所述的系列沟槽外围还设有一个以上包围系列沟槽的第三类沟槽。发明提出的屏蔽栅沟槽型场效应管器件，具有独特的结构及制造工艺流程。
申请人：安建科技(深圳)有限公司
地址：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼118B-F
国籍：CN
代理机构：深圳市千纳专利代理有限公司
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