一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201711122063.4 （22）申请日 2017.11.14

（71）申请人 山东天岳先进材料科技有限公司

地址 250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01

（10）申请公布号 CN108193282B

（43）申请公布日 2019.06.25

书

（72）发明人 高超;窦文涛;张红岩;李长进;李加林;宗艳民 （74）专利代理机构 济南舜源专利事务所有限公司

代理人 苗峻

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用

（57）摘要

本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及

一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用。本发明通过三步反应技术，形成外层为SiC、内层为Si的SiC包覆Si的高纯颗粒。将Si包覆SiC内部，在使用此颗粒作为原料生长高纯SiC单晶时，表层的SiC升华后形成残余碳后，包覆于内部的硅能够继续与残余碳反应形成新的SiC，从而不断保持Si/C比处于平衡状态；同时减少碳颗粒可以减少长晶过程中SiC单晶内的碳包裹物形

成。从SiC单晶生长的源头解决SiC单晶生长过程中的杂质和碳包裹物缺陷问题。

法律状态

法律状态公告日

2018-06-22 2018-06-22 2018-06-22 2018-07-17 2018-07-17 2019-06-25

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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