２０１ ６秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛 电镀与涂覆Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ 高密度互连通孑Ｌ填孑Ｌ电镀铜工艺研究 Ｐａｐｅｒ Ｃｏｄｅ：Ａ－０１ ６ 彭佳 王狮席道林程骄何为 梁坤 （电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都６１００５４） （广东光华科技股份有限公司，广东汕头５１５０６１） 摘要 传统的利用导电胶填充通孔的方式已经不能满足高密度互连应用中芯板的制造要 求，而为提高高密度互连的可靠性、导电性能、散热性能，提高生产效率，降低 制造成本，通孔电镀填孔工艺应运而生。本文在基于一系列整平剂筛选的基础上， 选出一种目标整平剂，将其应用于通孔电镀填孔中。同时，本文对通孔填孔的影 响因素进行了详尽的研究。分别研究了气流量高低、硫酸浓度、氯离子浓度、整 平剂浓度、抑制剂浓度对通孔填充效果的影响。通过研究结果发现，气流量高低 是影响通孔填充效果的关键性因素，过高的气流量将直接导致通孔无法填充起来。 而为了更好地了解通孔填充过程，文章还对不同时间段的通孔填充情况进行了分 析。最终实现了良好的通孔电镀填充效果。 关键词 通孔填孔；电镀铜；高密度互连；整平剂 中图分类号：ＴＮ４１ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００９—００９６（２０１６）增刊一Ｏ１１１－０７ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ ｔｈｒｏｕｇｈ－－ｈｏｌｅ ｆｉｌｌｉｎｇ ｂｙ ｃｏｐｐｅｒ ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ ｆｏｒ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔ￣‘ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｔｅｒｃ０ｎｎｅｃｔｉｏｎ 一 ＩＨＵｌＪＨＤＩ ｍａｎ ａｃｔｕｒｅ ａｎｕｆａｃｔｕｒｅＰＥＮ Ｊ／ａ ＷＡＮＧ ｕ ＨＥ ｗｅｌ ＸＩＤａｏ．１ｍ ｃＨＥＮ Ｊｉａｏ ＬＩＡＮＧＫｕｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｏｌｅ（ＴＨ）ｐｒｏｃｅｓｓ ｐｌｕｇｇｅｄ ｗｉｔｈ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｅｐｏｘｙ ｍａｔｅｒｉａｌ ａｌｒｅａｄｙ ｃｏｕｌｄ ｎｏｔ ｓａｔｉｓｆｙ ｔｈｅ ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ ｏｆ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ（ＨＤＩ）ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ．Ｔｈｒｏｕｇｈ—ｈｏｌｅ ｉｆｌｌ（ＴＨＦ）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｗａｓ ｄｅｓｉｇｎｅｄ ｔｏ ｉｍｐｒｏｖｅ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｙ ｔａｎｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｙ，ｔｔｏ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｐｒｏｄｕｃｔｉｖｉｙ ａｎｄ ｔｔｏ ｒｅｄｕｃｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｃｏｓｔｓ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ａ ｔａｒｇｅｔ ｌｅｖｅｌｉｎｇ ａｇｅｎｔ ｗａｓ ｓｅｌｅｃｔｅｄ ａｆｔｅｒ ａ ｓｃｒｅｅｎｉｎｇ ｏｆ ａ ｓｅｒｉｅｓ ｏｆ ｃａｎｄｉｄａｔｅｓ ｌｅｖｅｌｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ ａｎｄ ｉｎｖｅｓｔｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ＴＨ ｆｉｌｌｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｍｅａｎｗｈｉｌｅ，ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｔｉａｌ ｆａｃｔｏｒｓ ｏｆ ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｏｌｅ ｆｉｌｌｉｎｇ ｗｅｒｅ ｅｘａｍｉｎｅｄ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ，ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｏｎ，ｌｅｖｅｌｅｒ ａｎｄ ｓｕｐｐｒｅｓｓｅｒ，ａｎｄ ｔｈｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｌｏｗ ｒａｔｅ ｗｅｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｆｖｅｌｙ．Ａｍｏｎｇ ｔｈｅｍ，ｔｈｅ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ ｗａＳ ｆｏｕｎｄ ｔｈｅ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｆａｃｔｏｒ．Ｈｉｇｈｅｒ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｌｅｄ ｔｏ ｍｏｒｅ ｓｉｇｎｉｉｃａｎｔ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｉｎ ｔｈｅ ｆｆｉｌｌｉｎｇ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．Ｆｏｒ ｆｕｒｔｈｅｒ ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｕ ＴＨ ｆｉｌｌｉｎｇ ｐｒｏｃｅｅｄｓ，ｔｈｅ ｈｏｌｅ ｆｉｌｌｉｎｇ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ａｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ ｄｕｒａｔｉｏｎ ｗｅｒｅ ａｌｓｏ ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｄ．Ａ ｇｏｏｄ ｆｉｌｌｉｎｇ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｗａｓ ａｃｈｉｅｖｅｄ ｅｖｅｎｔｕａｌｌｙ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｈｏｌｅ Ｆｉｌｌｉｎｇ；Ｃｏｐｐｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ；ＨＤＩ；Ｌｅｖｅｌｅｒ 电镀与涂覆Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ ２０１ ６秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛 ０ 引言 他统Ｉ， 利Ｊｔｉ Ｉｔｚ Ｊ 填允通＃ＬＩ＇ＦＪ，Ｊ‘式 的Ｉ， Ｉ 、 Ｉｘｉ 能、敞热・Ｉ＋１１ｆＦ￣， １ 能满 “崭度１ｆ 迕 Ｊｔ Ｊ ｔ１・芯扳 制造嘤求，Ｉｍ为提｛ 』业 ｆ．ｊ生 Ｉ ｏ ＴＨＦ ｈ ：效率，降低制逃成小，通孔ＩＵ镀ｈ＇ｉ＃Ｌ １： （ＴＨＦ）Ｊ、 ＩＵ镀 ・Ｊ ｌ ［ １（ｂ）】足‘ｓＯｉ新的ｌ 发Ｊ陡，４＜１｛刈Ｊ 化统｝，１￣，７ＰＣＢ ＩＺ；Ｊｚ Ｉ（ｊＰＴＨＩＵ铍｛＝ｌＩＪ『 ｌ ［Ｉ划１（ａ）］， － ｉ ｉ人特，ｒ 、 Ｊ 绷 Ｉ ｒＰＣＢ芯扳Ｉ ｉ，＇ｊ＇，ｔ￣ｌｌ，ｆ４ 。迎－ＳＬＪＪ ｝孔Ｉ 镀 ｊ＃ＬＪＪ‘ｉ＃ＬＩ 镀 人的 片址流体 Ｊ ｊ质Ｉｄ：，ｆ／７ 的） 。通 ｝’ｉ扎－Ｉ一流 。 扎ＩＩｘ镀时，流体Ｉ Ｊ 以 迎孔 ｆＩ流动，ｆｌｉ『 物质输 ＃ｉＪ－ｆＬ－Ｉｔ心，ｆＩ 址 ｝ ｉ孔Ｉ 镀＿Ｉ１ｆ，流仆删 ｔｉｆ ’，从』Ｌｆ，，Ｊ Ｊｌ￣１）ｔ水 ，ｊｊ］１孔址没仃ｒｉＹＬ－ｌ 所州的憾 ， 此厄 丈 扎的 允址虹Ⅵ蝶Ｊ・ 允， ｉ’ｆ孔 ｛ “¨卜 ｉ ”的 允机 ｔ。通 ｌｆ『勺坝、 作 为 允 丈现扎・Ｉ 心ｎ，ＪｆＵ饿制迕接，迎接Ｊ 孔ｉｘｓ７ｆＪｌ！ｌ￣，］Ｏ；［肜成 个ｉ’ｉ孔， ｌ ｛４Ｌ的琐允。这 的流场、质 化送、ＪＬｉ，ｑ ＪＩ￣１）ｔ、 允￣）ＬＪ：＇Ｉｔｌ ｎ ｝千，甘敛通常川Ｊ ｉ’ 孔填允的｝Ｕ镀制 ，， ＪＩＪ Ｊ 迎扎ｆ 镀填允 。Ｉｘｌ此，小文Ｊｌ ＪＩＵ化 ｆｊ，Ｊ乃 ｆ＿Ｊ￣ｄ 系列恪 Ｉ制进” 能研究， 选…通川 通孔 扎ｆ＇ｆ勺 进 Ｊ 究。 ｌｌ标 、卜剂，＂刈 通ｅＬｉ； 。允过 及影响 、 ＿ （１）仿行镀 （２） 电树脂塞孔 （３）整平及电镀涂覆 （４）蚀刻（形成内层线路） （１）通孔填充 （２）蚀刻（形成内层线路） （ｂ１迎丁ＬＩＩＡ￣７￣＇ｆ．Ｉ—Ｊ力 ｉＳＬｇ 术 图１传统导电胶填子Ｌ技术 １ 实验 １．１ 整平剂的筛选 小＝实验刈‘‘系列 、 剂进 Ｊ 筛选Ｉ 作，此处 ｌ对６和ｌ 、卜制进ｉ Ｊ 筛选，Ｊ 例，分刖川１≠｝～６≠≠ ，＇÷ 筛选【 ｆ１Ｉ 均为ＩＭｔ 筛选， ＪＩ Ｊｃｖｓ，ｈＬｉＤ１０试小川转述卜含 、 卉ＩＪ镀液ｉ＇１４ｊＣＶｌＩＩｉ线。所川ｃＶｓ机机） 为， 通７９７ ＶＡ，所ＪＩ ＪＩ 极为 ＩＵ极系统：钔 『 作ＩＩＸＮ，Ａｇ／ＡｇＣ１参比ＩＵ极（ 液３ ｍｏｌ／Ｌ ＫＣＩ，外液１ ｍｏｌ／Ｌ ＫＮ０３），ｉｌＪ｛￣ｉｌ１．ＵＤ，ｘＩ撇。 ＣＶＩＩＩＩ线测试参数哎‘ 为： Ｉｘ｛ ＪＩ ７０； 』：０．６４Ｖ一一０ｌ３ Ｖ—Ｏ．６４ｖ ¨ 迷Ｊ耍：２０ ｍＶ／ｓ 转迷分刖设’ 为：０，２００ ｒ／ｍｉｎ，１０００ ｒ／ａｉｒｎ —ｌ１２— ２０１ ６秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛 电镀与涂覆Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ 镀液成分浓度的设定： 硫酸铜浓度：１３０ ｇ／Ｌ 硫酸浓度：１７０ ｍｇ／Ｌ 氯离子浓度：６０ ｍｇ／Ｌ 整平剂浓度：０．００１％（１０ ｐｐｍ） 光亮剂浓度：０．０００ ２％（２ ｐｐｍ） 抑制剂浓度：０．０５％（５００ ｐｐｍ） １．２通孔填孔影响因素研究 采用筛选出的整平剂为电镀添加剂，本实验分别研究了硫酸浓度、氯离子浓度、整平剂浓度、抑制剂浓 度、气流量大小对通孔填充效果的影响。将钻有通孔规格为中１５０ ｐ，ｍＸ １５０“ｍ的板在经过化学沉铜、闪镀加厚 处理后，再置于１．５ Ｌ哈林槽中进行电镀填孔试验。所用电源为直流电源，电镀采用的阳极为磷铜阳极，搅拌方 式为阴极底部打气的方式。电镀参数为：１．５ Ａ／ｄｍ ×１４０ ｍｉｎ。电镀试验均在室温下进行。试验完成后，用金相 显微镜对电镀结果进行测试。 １．３阶段性通孔填充情况研究 为更好地了解通孔填孔过程，本实验进行了通孔填孔阶段性研究，分别研究了电流密度为１．５ Ａ／ｄｍ ，电镀 时间为６０ ａｉｒｎ、７０ ａｉｒｎ、９０ ｍｉｎ、１１０ ａｉｒｎ时的通孔填充情况。将钻有通孔规格为①１５０ ｇｍＸ １５０ ｐ，ｍｌ￣板在经过化 学沉铜、闪镀加厚处理后，再置于１．５ Ｌ哈林槽中进行电镀填孔试验。所用电源为直流电源，电镀采用的阳极为 磷铜阳极，搅拌方式为阴极底部打气的方式。电镀试验均在室温下进行。试验完成后，用金相显微镜对电镀结 果进行测试。 ２结果与分析 ２．１整平剂的筛选 影ｎ￣ＴＨＦ电镀铜填充效果的主要因素在于整平剂和光亮剂在孔内外的分布情况。要实现通孔的电镀填充， 电镀添加剂中的整平剂必须具备与流体流动速率有关系的吸附或是抑锘…Ｉ 力，即对流越强，添加剂越易抵达铜 面，产生抑制铜沉积的效果，反之，越不易抑制铜沉积。根据这样的电化学特征，当用来电镀填充通孔时，就 表现出良好的填孔能力。因为相对来说，板面及孔口的对流效果都优于孔中，因此整平剂将会大量吸附在板面 及孔１：３，抑制铜沉积，相反地，孔中心的对流效果相对较弱，整平剂吸附少，而光亮剂吸附多，铜沉积效果会 较快，这样就能实现通孔的电镀填孔［５］。整平剂及光亮剂的分布情况可如图２所示。 图２通孔电镀填充整平剂与光亮剂分布示意图 ．１１３． 电镀与涂覆Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ ２０１ ６秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛 本实验整平剂的筛选即要选出此类具有“ｃｏｎｖｅｃｔｉｏｎ．ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ”特性的整平剂，筛选结果如图３所示。从图 中可以看出，１≠ｆ～５群整平剂均具有“ｃｏｎｖｅｃｔｉｏｎ．ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ”特性，高转速下表现出强的抑制能力，低转速下表现 出相对较弱的抑制能力。这种不同流速下所引起的抑制能力的改变并不是说流速直接改变整平剂的抑制能力， 而是通过改变其与光亮剂在铜面上竞争吸附量而控制其抑制能力的［６］。相比较而言，２≠｝整平剂于三种转速下的抑 制能力差异最明显，且其抑制能力相较于其它五种整平剂来说也是较强的。因此，本文筛选出２≠｝整平剂作为通 ．孔填孔添加剂，应用到以下通孔电镀填孔试验中。 吾ｌ唧ｌｕ ．羹 ＿ｉｕ ， ｇＰ． 显ｅ８。Ｑ＿８§ｕ 屠．毒ｌＩｓⅡａｄ ８譬ｆＩ。 量Ｐ．ｖ，尊ｌ 嚣 ０ 葺ｐ．ｖ，由ｌ铽＿ ｌｕ 图３不同转速下１＃～６＃整平剂的ＣＶ曲线 ２．２通孑Ｌ填孑Ｌ影响因素研究 ２．１．１ 气流量高低对通子Ｌ填充的影响 通孔填充涉及到填孔过程，因此选用的铜酸体系仍应为高铜低酸的体系。从图４中也可以看出，高铜低酸体 系下才有通孔填充效果，且酸的含量对填孔效果有较大影响。 空气搅拌作为一种提高孔内外镀液交换能力的一种方式，气流量的高低无疑将影响通孔的填孔效果。且如 上所述，适用于通孔填充的整平剂具有“ｃｏｎｖｅｃｔｉｏｎ．ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ”特性，气流量的高低将直接控制整平剂与光亮剂 在铜面上的竞争吸附量，进而影响整平剂抑制能力的大小，因此气流量的控制于通孔填孔至关重要。气流量太 高将导致孔内的流速变高，整平剂在孔内吸附量将增多，其抑制孔内铜沉积作用将增强，进而导致通孔填孔效 果变差。因此，只有在孔内外形成适宜的流速差，才能使整平剂在孔内外形成一定的浓度差，从而获得良好的 填孔效果。从图４可以看出，在此体系中，应用到通孔填充中气流量不能过高，只有在低流速下此镀液才具有良 好的填孔效果。但也不能太低，气流量太低将导致孔中心溶液交换能力差，孔内将会出现空洞。 １１４． ２０１ ６秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛 电镀与涂覆Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ ｝＝ｉｄ蹿 ｌｆ采溉健 ｌ 中 睦 ｌ ｃ＝ｊ 太流速 ｌｅ ｔ中１ Ｉ 低流遗 ｌ 中流述 Ｉ 大流琏 。∞ 图４不同铜酸含量条件下气流量对通孔填充的影响 ２．２．２硫酸浓度对通孑Ｌ填充的影响 ＿Ｌ而捉到硫酸浓度对通孔填充有较大影响， 此本实验对 川硫酸浓度卜通孔填充情况进行了研究，以控 制其浓度范嘲。硫酸作为镀液ｔ卢的导电盐，其 要作用是增』Ｊｌ】溶液的导叱性。增７Ｊ １】硫酸浓度可以降低镀液的电 【５【１，提高电镀的效率。但是征填孔电镀过程－ｌＩ，硫酸浓度的增加将影响填孔时铜离ｆ的补充，造成填孔 良的 现象。同时溶液导电性的增』ＪＩｊ，将减小孔内外电流密度的差异性，从Ｉ叮影响添Ｊｊｆ】剂的分布。从 ５中可以行Ｉ山ＬＩ阽ｙｌＤ 酸的含遍应严格控制在７５ ｇ／Ｌ以下，超过该含避通孔填孔效果将大人降低。但过低的硫酸含量也将导致溶液的导 ＩＩｘ性变差，最终引起孔ｉ－ｑ空洞的产生。 ２．２．３氯离子浓度对通孔填充的影响 氯离 是酸性镀铜液中必不可少的物质，通常以氯化钠或盐酸的形式添加到镀铜液 ｌ１０氯离子的作刖－ｌｃ－￣ 是让铜离子Ｉ＝ｊ金槭铜在双电层问形成稳定转换的电子传递桥梁。在电镀过程中，氯离ｆ Ｌｊ其他各添ＪＪｌ１剂卡１１Ｔｌ 作 川，使其它添加刺实现一定的加速能力或抑制能力。如：氯离子可在阴极与抑制剂或整 剂协Ｍ作川汁钟Ｉ］离 稳定沉积，降低极化，使镀层精细。氯离子的存在会在一定程度上提高抑制剂或整平剂的抑制能力。 ６ ｔ‘叮以 看出，氯离子浓度对填孔有影响，随着氯离子浓度的升高，填孔效果会增强，但这＿平Ｉｌ１增姒效果不是 叫 ，＝ｆＩ＝ｌ 较丁Ｉｍ而所做过的气流量火小、硫酸浓Ｊ逆对通孔填孔影响米说。 图５硫酸浓度对通子Ｌ填充的影响 图６氯离子浓度对通孔填充的影响 一ｌ１５— 电镀与涂覆Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ ２０１ ６秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛 ２．２．４抑制剂浓度对通孔填充的影响 在氯离子协Ｉ叫作刚卜，抑制剂在阴极表＿面吸附，最终达到抑制板面金属铜沉干Ｊ 门作川。 抑制剂能使 高低 流【 的差异降低（亦即增加极化电阻），让电镀钏能均匀的持续沉积。抑制剂町充 洲湿刺，降低界 的表丽张力（降低接触角）， ：镀液更容易进入孔内而埔加传质效果。抑制剂含量人低时， 足以 晰形成 完整的ｌｌ搜附薄膜，抑制效 差，含量太高则在空气搅拌下产生过多的泡洙，这些泡洙极易进入孔内却｝ 难及时 排出，从１而肜成 洞，同时，过高的抑制剂含最将会引起其在孔内的含最增多，嘶抑；ｔ￣］４Ｌ 的锏沉枞，进而导 致填孔效果变差。如图７所示，抑制剂浓度太低，无法实现通孔填充效果，抑制剂浓 爪高， ｉＴＬ效 将ｌ 降。 图７抑制剂浓度对通孑Ｌ填充的影响 ２．２．５整平剂浓度对通子Ｌ填充的影响 整平剂通常是含氮有机物，带订很强的¨ ｌＵ性，｝ｌｌ弈易吸附存高｝ｕ流常发 （１ １起区或 角处）， 亏钏离 予竞争，使该处的电镀速度趋缓但小影响低『乜流密度区（ １陷【ｘ＝）的电镀，使原木起伏 坦，是填孔电镀必加添加剂。本实验采用的 的表面变得 为 剂为前而电化学筛选 Ｖ，ｊ２＃整半剂，其抑制能力很强，因此只 加少量整平剂就能获得一定的填孔效果。如图８所示，０．０００１％（１ ｐｐｍ）的此整平剂就能实现通孔的电镀填充。 从图中也可看出，随着整平剂浓度的丁卜高，通孔填孔效 有增强，但是当其浓度达到０．０００１％（１０ ｐｐｍ）Ｉ卜ｊ‘，镀 液将失去填孔能力，电镀板丽将会出现大量铜颗粒。 图８整平剂浓度对通子Ｌ填充的影响 ２．３阶段性通孔填孔研究 相较于盲孔的“自Ｆ嘶Ｌ”的电镀填充模式，通孔的填充为蝴蝶式的填充，即儿实现乱一 再完成 孔ｔ｝ 心连接 肜成的 个微小盲孔的电镀填充。为更好地了解其具体的 允模ｊ＝ ， 的ｆＵ镀迮核， …ＩＩＪ段通孔 填充情况，本实验进行６组小同时问段的电镀试验，如图９所示。从图中可以看ＨＩ，ｊｊ亘４Ｌ Ｊ ｔ：ＪＪ；ｉ允过 ＿ＩＪ’分为 个 阶段： （１）０～３０ ｍｉｎ为通孔保角电镀填充阶段： （２）３０ ｍｉｎ～６０ ｍｉｎＪ￣快速电镀钏肜成“Ｘ”一１１ 近接阶段：． （３）６０ ｍｉｎ～ｌ】０ ｍｉｎ为最 填孔阶段。 ３ 结论 （１）本文用电化学的方法对一系列整平剂进行了筛选，选出 Ｅｌ标整 剂作为通孔填４Ｌｉ￣ｂ［Ｉ剂， 恪、 卉１Ｊ 具有优良“ｃｏｎｖｅｃｔｉｏｎ．ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ”特性且拥有很强的抑制能力。将 用—卜通孔填充中，可实现良好的迎孔电镀坝 充效果。 ．１１６． ２０１ ６秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛 电镀与涂覆Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ 【］■［二 图９不同时间段通子Ｌ填充情况 （２）小殳刈 响迎｛ Ｌ Ｊ 允过 的 祟逃 Ｊ 究，分＂０探 厂 流 人小、硫腋浓嫂、 刊浓心、抑制制沐他划‘迎扎ｆｌ＇Ｊ 响。 离 浓瞍、 １ ， 发现 Ｌ流 人小址 响通扎 允的父谜 ｒｌ 豢，较低的 流砒ｄ’能实 ｒ 迎扎的Ｉ 镀Ｊ－！。｝ 。ＩｌＪｊ 疏 浓Ｊ 、抑制制浓Ｊ业 址 响迎孔填允设 的１ 嘤 粜， ｆ１ １７５ ｇ／Ｌ以 ４１１刈水说 离Ｊ 浓』变刈迎４ＬＬＩ ｝允ｎ０ 响较小。 Ｌ１＿ｊ疏阪ｎ勺浓 最好ｆ 持 （３）小文刈‘小川ＩＩ，¨川段．］３ｉ１ｉ－｛ＬＪ．￣’｝允 进｝¨ ｆＪＪ１＿ 、 发 通孔 充过 ｌＪＪ分 ＹＶ阶段：Ｏ～３０ ｍｉｎ通孔俅 连接阶段：６０ ａｉｒｎ～ｌｌ０ ｍｉｎ最 填孔阶段。 ｆ『】Ｉ 镀 允阶段：３０ ａｉｒｎ～６０ ａｉｒｎ怏述ｌＵ镀仆４ Ｊ 成“ｘ”『 参考文献 【１１ Ｅ．Ｎ￣０．ｉａ，’，Ｌ．Ｂａｒｓｔａｄ Ｊ．ＮａＤｍｔｊａｒ１．ｃｔ ａｌ，Ｅｌｃｃｔｌ’ｏｐｉａｔｉｎｇ Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｉｌｏｌｅｓ ｗｉｔｈ Ｄｉｆｆｅ￣‘ｅｎｔ Ｇｅｏｍｅｔｒｙ—Ａ Ｎｏｖｅｌ ａｎｄ Ｈｉｇｈ Ｐｌ’ｏｄｕｃｔＭｔｙ Ｐ１‘ＯＣＣＳＳ ｆｏｉ’Ｔｈｉ’ｏｕｇｈ Ｈｏｌｅ Ｆｉｌｌ Ｐｌａｌｉｎｇ．ＩＭＰＡＣＴ ２０ ｌ ２ ［２１ ．甘迎－ｆＬ４Ｈ通－ｆＬＪ Ｊ。 Ｌ破川ｌ Ｉ＇，ＪＣｕＳＯ４Ｉ 帔１． “Ｃｕ—ＢＲＩＴＥＴＦ Ｊｌ” ． 制ＩＵ 信 、。２００９ １２：３８—４２ ， ０ ：． ＩＩ１： ， Ｊ’电”，ｆｌＪ＿为， 俊峰迎扎ｌ 铍 孔Ｉ． 宄１ 优化［Ｊ］． 制１Ｉｘ踏 ｉ Ｉ ３】刈ｆｌ ， ｉ ， ．２（）１ ５ ０３：ｌ（）６一ｌｌ １． １４］幺 Ｊ尺． ｊｍ扎 ｌ允１＿Ｊ女仆《ｊ是术［Ｊ］． ｌ Ｊ ＪＩ Ｉ 【５】 （』、 ２０１ ３ ｌ０：４７—５１． （ｆ】然科 、 ），２０】２，Ｏ２：１３ｌ一１３８＋２５９—２６０． 、 利川ＩＵ镀１＿ｌ１４ 允做水ｉ—ｉ扎 ｏ Ｊ￣４Ｌ之Ｊ 川 ． Ｉ Ｉ． １６】（ Ｙ．Ｌｉｎ，．１ Ｊ．Ｙａｈ，Ｍ Ｙ．Ｙｅｎ，Ｗ Ｐ Ｄｏｗ，Ｊ．．１ｏｕｍａ］ｏｆＴｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２Ｏ１ ３，ｌ６０（１２）：３０２８—３０３４． 第一作者简介 ｆ｛ ，Ｉ Ｊ １。ｌｊｌ上人一 。 Ｊ ＩＪ化 『、Ｊ，ｉｋ￣ｉＪｌ 、‘ ｝ｉ，９Ｉｌｉ从ｆｌ『＿为敦投，从 ＩＪ制Ｉｌｆ路及ｌＵ 化 ’ Ｉ 城ｌ ￣＇Ｊ，６７ｔ。究 镟］ 』纠』一尔竹引进刨 科Ⅲ…队 划资 （项ｌ『编 ：２０１ ３０１ｃ（）１０５３２４３４２）４￣ｌｉ／ 尔竹 、ｌ｝， 点实验书址 坝＿ｌ ｎ０资ｌＪＪＪ（Ｎｏ．２０１ ６Ｂ０３０３０２００５）．．