（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201380022771.4 （22）申请日 2013.04.30 （71）申请人 维西埃-硅化物公司
地址 美国加利福尼亚州
（10）申请公布号 CN104380441A
（43）申请公布日 2015.02.25
（72）发明人 马督儿·博德;曲飞·陈;米斯巴赫·乌尔·阿藏;凯尔·特里尔;阳·高;莎伦·石 （74）专利代理机构 北京市磐华律师事务所
代理人 董巍
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
集成电路设计
（57）摘要
形成混合分裂栅半导体的方法。根据本发
明的方法实施例，以第一深度在半导体衬底中形成多个第一沟槽。以第二深度在所述半导体衬底中形成多个第二沟槽。所述第一多个沟槽平行于第二多个沟槽。所述多个第一沟槽的沟槽与所述多个第二沟槽的沟槽相间且相邻。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
法律状态公告日
2015-02-25 2015-02-25 2015-03-25 2015-03-25 2019-05-10
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
实质审查的生效 实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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