互补金属氧化物半导体结构及其制作方法[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：互补金属氧化物半导体结构及其制作方法专利类型：发明专利发明人：朱慧珑
申请号：CN200710167205.9申请日：20071101公开号：CN101188248A公开日：20080528
摘要：本发明公开了一种CMOS结构及其制造方法。该CMOS结构包括位于使用半导体基板内的第一有源区的第一器件，其中第一有源区是平坦的并具有第一晶体学取向。该CMOS结构还包括位于使用半导体基板内的第二有源区的第二器件，其中第二有源区是非平的且具有不存在第一晶体学取向的第二晶体学取向。第一晶体学取向和第二晶体学取向典型地对于电荷载流子迁移率，为第一器件和第二器件提供了性能优化。非平的第二有源区也具有单一厚度。该CMOS结构可以使用晶体学选择蚀刻剂形成非平的第二有源区来制作。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约阿芒克
国籍：US
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：张波
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