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11.2.2二维静电场数值仿真+-+二维静电场数值仿真实验指导书

来源:九壹网
实验二 二维静电场数值仿真试验

一、实验目的

1.在仿真过程中学会使用ANSYS软件。2.学会边值问题的建模方法。

3.学会用仿真软件检验对电磁场分布的猜测。

二、实验类型

本实验为验证型教学实验。

三、实验仪器

配备有ANSYS软件平台的台式计算机。

四、实验原理

本实验是在ANSYS平台上开发的。ANSYS是国际上著名的有限元软件包,可对结构力学、流体力学、传热学和电磁学等领域的问题进行求解。其特点是图形界面友好,易学,前后处理功能强大。在ANSYS平台上开发电磁场数值仿真实验,只需将问题的求解过程描述清楚,按照给定步骤上机操作,即可得到预期结果。

五、实验内容

a无限长圆柱导体a无限长圆柱导体D图1 仿真计算模型 (图中a、D可自定)

仿真实验包括静电场实验和恒定磁场实验,可任选一个。对于静电场实验,图1中两导体电位分别为100V和-100V(可自定);对于恒定磁场实验,图1中两导体电流密度分别为10000A/m2和-10000A/m2。根据几何结构和源分布的对称性,仿真实验可选用1/4或1/2平面进行建模。

实验分为两步:第一步,按照给定步骤和给定参数上机操作;第二步,尝试改变某些参数,观察仿真结果的变化。

六、实验步骤

1.开始→程序→ansys5.6→license status→server(等待)→quit(不能按其他选择)2.开始→程序→ansys5.6→interactive(出现界面)→run(出现界面)→3.ANSYS Main Menu(左侧主菜单)→preferences→electric(点击白框打勾)

→ok(预设问题归属)→4.ANSYS Main Menu→preprocessor→material props→-constant-isotropic→1→ok→perx 1→ok(给定材料相对介电常数)→5.ANSYS Main Menu→preprocessor→element type

→add/edit/delete→add→electrostatic →2D quard 121→ok(设定内部单元类6.

7.

8.9.10.

11.

12.13.14.

15.16.17.18.19.20.

21.

型)→(ANSYS Main Menu→preprocessor→element type→)add/edit/delete→add→infiniteboundary→2D infquard110→ok→option→AZ改为volt, 4noded quard改为8noded→(设定外部无限单元类型)close→(ANSYS Main Menu→preprocessor→modeling→create→-Area- circle→partialannulus→wp x 1, wp y 0, rd-1 0, theta-1 0, rd-2 0.2, theta-2 180, apply→wp x -1, wp y 0, rd-1 0, theta-1 0, rd-2 0.2, theta-2 180, apply→wp x 0,wp y 0, rd-1 0, theta-1 0, rd-2 5, theta-2 180, apply→wp x 0, wp y 0, rd-10, theta-1 0, rd-2 10, theta-2 180,ok(创建几何模型)→(ANSYS Main Menu→preprocessor→modeling→operate→-booleans-overlap→area→pick all(模型各部分之间集合运算)→(ANSYS Main Menu→preprocessor→modeling→delete→area and below→光标选中两个小圆,ok(删除导体部分)→(ANSYS Main Menu→preprocessor→-attributes- define→pick areas→光标选中有两个小圆缺口的内半圆,apply→apply→光标选中外半圆,ok→1 plane121改为2 infin110→ok(定义区域属性)→(ANSYS Main Menu→preprocessor)→mesh tool→lines set→光标选中外层两条弧线,apply→ndiv 50 →apply→光标选中外层扇形左右两条底边,apply →ndiv 1→apply→光标选两小圆弧,apply → ndiv 20 →apply→光标选中两小圆弧之间的两条小线段,apply→ndiv 20→apply→光标选中两小圆弧与大扇形之间两条长线段,ok→ndiv 20→ok→

mesh tool菜单中选中quad 和 mapped,点击mesh →光标选中外部大扇形,ok(外部无限单元划网格)→mesh tool菜单中选中tri 和 free,点击mesh →光标选中有两个小圆缺口的内半圆,ok(内部有限单元划网格)→(ANSYS Main Menu)→solution→-loads- apply→-elecric- boundary→-voltage-on line→光标选中右小半圆,apply, 100,apply→光标选中左小半圆,ok, -100 ,ok(导体表面加电位)→(ANSYS Main Menu)→solution→-loads- apply→-elecric- flag→-infinite surf- online→光标选中最外边的半圆,ok(无限边界加标志)→

(ANSYS Main Menu)→solution→-solve- current ls→ok(求解,等待)→close(关闭黄框)→ 关闭status command文件(白框)(ANSYS Main Menu)→general postproc→plot results→-contour plot- nodalsolu→dof solution elec poten volt ok( 显示电位 9 色云图)→emag 3d utility menu→plot ctrls→device options→shading win32 点击改为contours win32c , vocter mode off 点击改为on, ok→

emag 3d utility menu→plot ctrls→style→contours→uniform contours→ncont100 ,ok(显示等电位线分布)→(ANSYS Main Menu)→general postproc→plot results→-vector plot-predefined→flux and gradient→选择D或EF(箭头显示电位移矢量或电场强度)→

emag 3d utility menu→plot ctrls→pan, zoom, rotate→(可以移动、放大、缩小图形)22.ansys toolbar→选择quit-no save!ok→( 退出 ANSYS)七、实验注意事项

为了避免仿真过程中重复建模,应对数值仿真的中间过程适当保存备份。

八、实验结果

实验过程中需要记录如下仿真结果:

1.网格剖分图。

2.等电位线分布图或等A线分布图。3.电场强度矢量图或磁场强度矢量图。

九、思考题

1.仿真过程中,采用1/4或者1/2平面建模,有何理论依据?2.网格剖分的疏密程度对仿真结果是否有影响?试解释原因。

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