专利名称：一种等离子体增强型的微芯片爆炸箔起爆器及制备
方法
专利类型：发明专利
发明人：朱朋,杨智,徐聪,张秋,汪柯,刘鹏,沈瑞琪申请号：CN201811221520.X申请日：20181019公开号：CN109405657A公开日：20190301
摘要：本发明涉及微型低能量点火和起爆技术领域，涉及一种等离子体增强型的微芯片爆炸箔起爆器及制备方法。起爆器包括：基片，金属/低熔点聚合物薄膜层，包括金属层和低熔点聚合物层，金属层设置在基片之上，包括焊盘、过渡区和桥箔；低熔点聚合物层设置在金属层之上，设置在金属/低熔点聚合物薄膜层之上的抗拉聚合物飞片层，加速膛以及药剂。本发明通过使用金属/聚合物层，使得聚合物在桥箔电爆炸的基础上，能被激发产生大量的蒸汽和等离子体，增强了桥箔剪切及驱动飞片的能力，降低McEFI的发火能量。本发明采用微机电系统工艺制备微芯片爆炸箔起爆器，可实现批量化生产，降低了制备成本，并且所得起爆器的集成度高、体积小。
申请人：南京理工大学
地址：210094 江苏省南京市孝陵卫200号
国籍：CN
代理机构：南京理工大学专利中心
代理人：邹伟红
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