专利名称：一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构专利类型：实用新型专利发明人：黄刚,吴均
申请号：CN201920884185.5申请日：20190613公开号：CN210274700U公开日：20200407
摘要：本实用新型公开了一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,包括PCB板，PCB板上设置有过孔以及走线，走线上设置有过孔连接走线，走线通过所述过孔连接走线与所述过孔连接，过孔连接走线的宽度为走线的宽度的85%‑95%，过孔连接走线的长度为过孔的长度的150%‑250%。本实用新型结构简单，在不增加背钻成本的情况下，通过改变走线的宽度以及长度，来有效的提高信号质量，成本低，信号质量高。
申请人：深圳市一博科技股份有限公司
地址：518000 广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
国籍：CN
代理机构：深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)
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