（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201510624159.5 （22）申请日 2015.09.25
（71）申请人 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
地址 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号
（10）申请公布号 CN105241587B
（43）申请公布日 2019.02.22
书
（72）发明人 季锋;闻永祥;刘琛;孙伟
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 余毅勤
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
压力传感器及其制作方法
（57）摘要
本发明提供了一种压力传感器及其制作方
法，通过电化学腐蚀的方法在第一硅衬底表面形成一多孔硅层，然后通过外延的方式在第一硅衬底的多孔硅层表面生长一层单晶硅层，并将第一硅衬底与第二硅衬底键合构成一空腔，再腐蚀多孔硅层以分离第一硅衬底与第二硅衬底，从而将第一硅衬底上的单晶硅层转移至第二硅衬底上，随后平坦化单晶硅层的表面，最后通过常规半导体工艺方法构成压力传感器，该方法与CMOS工艺
兼容，避免了传统体硅工艺的缺点，形成的压力传感器的膜层均匀，参数一致性好，可实现小型化、低成本和大规模生产的要求。
法律状态
法律状态公告日
2016-01-13 2016-01-13 2016-02-10 2016-02-10 2019-02-22
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
压力传感器及其制作方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
压力传感器及其制作方法的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容