模拟电子期末复习题 答案

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（× ） （3）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（× ） （4）晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ × ） （5）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（× ） （6）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ √ ）

（7）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ √ ）

（8）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（× ） （9）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（× ） （10）在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量增小，则说明引入的反馈是负反馈。（√ ）

（11）一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。（√ ）

（12）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，(√ )它只能放大交流信号。( √ )

（13）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( √ )它只能放大直流信号。( × )

（14）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号之差，共模信号是两个输入端信号之和。（ ×） （15）运放的共模抑制比KCMRAd ( √) Ac（16）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（× ） （17）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（×） （18）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（× ） （19）运算电路中一般均引入负反馈。（√ ）

（20）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（× ） （21）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（√ ） （22）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。（× ） （23）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（ × ） （24）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（ × ）

（25）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ √ ） （26）功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是

1）都使输出电压大于输入电压；（× ） 2）都使输出电流大于输入电流；（× ）

3）都使输出功率大于信号源提供的输入功率。（ √ ） （27）功率放大电路与电压放大电路的区别是

1）前者比后者电源电压高；（ × ）

2）前者比后者电压放大倍数数值大；（ × ） 3）前者比后者效率高；（ √ ）

4）在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大；（ √ ）

（28）功率放大电路与电流放大电路的区别是

1）前者比后者电流放大倍数大；（ × ） 2）前者比后者效率高；（ √ ）

3）在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。（√ ） (29)直流稳压电源中整流的目的是将交流变为直流。（ √ ）

(30)直流稳压电源中滤波电路的目的是将交、直流混合量中的交流成分滤掉。（ √ ）

二、选择题（15小题，每小题2分，共30分）

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C）。

A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

2、本征半导体电子浓度（ C ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ A ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ B ）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 3、二极管的最主要特性是（ A ），它的两个主要参数是反映正向特性的（ B ）和反映反向特性的（ C ）。 a： 单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。

4、在如图所示非理想二极管电路中，当电源E=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到E=10V，则电流的大小将是（ C ）。

A.I=2mA

B.I<2mA

C.I>2mA

D.不能确定

5、在如图示非理想二极管电路中，当电源E=5V，温度T=20℃时，测得UD=0.67V。若电源电压不变，温度T上升到40℃时，则二极管两端电压UD大小将是（ B ）。 A. UD=0.67V B. UD<0.67V C. UD>0.67V D.不能确定

6、整流电路主要是利用 A 实现。

A．二极管

B．过零比较器

C．滤波器

7、二极管的主要特性是（C ）。

A.放大特性 A.IS eU

B.恒温特性 B. IS eU/UT

C.单向导电特性 C. IS （eU/UT－1）

D.恒流特性

8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 C 。

9、稳压管构成的稳压电路，其接法是（ C）。

a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联。 C:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联

10、晶体管工作在放大区时，b-e极间电压应 A 。

A．正向偏置 B．反向偏置

C．零偏置

11、晶体三极管的电流是由 C 组成。 A.多子

B.少子

C．多子和少子两种载流子

12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管

13、场效应管是通过改变 B 来改变漏极电流的。

A．栅极电流

B．栅源电压

C．漏源电压

14、场效应管属于（ A ）控制型器件，晶体三极管则属于（ B ）控制器件。 a：电压； b：电流； c：电感； d：电容。

15、下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ C ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；

B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；

D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 16、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [ C ] A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区

17、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（A ）偏置；集电结（ B ）偏置。

a：正向； b：反向； c：零向； d：随便。

18、一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过（ A ）mA；若工作电压UCE==1V，则工作电流Ic不得超过（ B ）mA；若工作电流Ic=1mA，则工作电压UCE不得超过（ C ）V。 a ：15； b ：100； c： 30； d： 150。

19、如图所示复合管，已知V1的1 = 30，V2的2 = 50，则复合后的约为（A）。

V1 A．1500 B.80 C.50 D.30

20、稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其V2 工作在( A)。

a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区

21、在三种基本放大电路中，输出电阻最小的放大电路是（C ）。 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 22、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是（ C）。 A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

23、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是（ A）。

A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 A.耦合电容和旁路电容的存在

B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适

24、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。

25、当输入信号频率为放大电路的截止频率fL或fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的（ A）。 A.0.7倍 B.0.5倍

C.0.9倍

D.0.1倍

26、若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB，则其总电压增益为（C ）。

A. 50dB

B. 60dB

C. 70dB

D. 12000dB

27、直接耦合多级放大电路能放大 C 。 A.直流信号

B．交流信号

C．交、直流信号

28、当集成运放处于A 状态时，可运用“虚短”和“虚断”的概念。

A．深度负反馈

B．开环 C．闭环

29、具有发射极电阻Re的典型差动放大电路中，适当增大Re的电阻值，则 A 。

A.抑制零点漂移的效果将会更好 C.对抑制零点漂移无影响

B.抑制零点漂移的效果将会更差

30、对于放大电路，所谓开环是指 B 。

A．无信号源

B．无反馈通路 C．无负载

31、直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是 A 。

A.温度的变化

B.电源电压的波动

C.电路元件参数的变化

32、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。

A.共射放大电路

B.共集放大电路

C．共基放大电路

33、共模抑制比KCMR是（ C ）之比。

a：差模输入信号与共模成分 b：输出量中差模成分与共模成分 c：差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）

34、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ A ）电路。 a：差放； b：正弦； c：数字

35、在下列描述中错误的是 [ D ] A 级联放大器的带宽比各级放大器带宽小

B 负反馈的引入可以起到展宽放大器频带的作用

C 集成运算放大器电路中广泛采用了以电流源为负载的放大器结构 D 理想运放在线性与非线性工作区均有虚断、虚短两个重要特性 36、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C ）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 37、为了减小温漂，通用型集成运放的输入级多采用 [ C ] A.共射电路 B.共集电路 C.差动放大电路 D.OCL电路 38、集成运算放大器在电路结构上放大级之间通常采用 [ C ]

A．阻容耦合 B.变压器耦合 C.直接耦合 D.光电耦合 39、集成运算放大器输入级通常采用 [ C ]

A．共射放大电路 B.OCL互补对称电路 C.差分放大电路 D.偏置电路

40、理想运放的开环差模增益AOd为 [ D ] A. 0 B. 1 C. 105 D. ∞

41、在深度负反馈放大电路中，若反馈系数F增加一倍，闭环增益AF将（C ）。

A. 基本不变 B. 增加一倍 C. 减小一倍 D. 不能确定

42、并联反馈的反馈量以（C ）形式馈入输入回路，和输入（B）相比较而产生净输入量。

a:电压 b:电流 c:电压或电流 43、电压负反馈可稳定输出（ A ），串联负反馈可使（ C ）提高。 a：电压 b：电流 c：输入电阻 d：输出电阻

44、要得到一个由电流控制的电流源应选用 [ D ]

A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈

45、 要得到一个由电压控制的电流源应选用 [ B ] A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈

46、在交流负反馈的四种组态中，要求互导增益Aiuf= IO/Ui稳定应选 [ C ] A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈

47、 在交流负反馈的四种组态中，要求互阻增益Auif=UO/Ii稳定应选 [ B ]

A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈

48、 在交流负反馈的四种组态中，要求电流增益Aiif=IO/Ii稳定应选 [ D ]

A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈

49、 放大电路引入交流负反馈后将 [ D ]

A.提高输入电阻 B.减小输出电阻 C.提高放大倍数 D.提高放大倍数的稳定性

50、放大电路引入直流负反馈后将 [ D ]

A.改变输入、输出电阻 B.展宽频带 C.减小放大倍数 D.稳定静态工作点

51、在深度负反馈放大电路中，若开环放大倍数A增加一倍，则闭环增益Af 将

A. 基本不变 B. 增加一倍 [ A ] C. 减小一倍 D. 不能确定

52、在深度负反馈放大电路中，若反馈系数F增加一倍，闭环增益Af 将[ C ] A. 基本不变 B.增加一倍 C. 减小一倍 D. 不能确定 53、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 [ B ] A.AF=1 B.AF=-1 C.|AF|=1 D. AF=0

54、电路接成正反馈时，产生正弦波振荡的条件是 [ A] A. AF=1 B. AF=-1 C. |AF|=1 D. AF=0

55、正弦波振荡器的振荡频率由（C ）而定。 a:基本放大器 b:反馈网络 c:选频网络 56、正弦波振荡电路的振荡条件是（ A ）。 a：AF=1 b：AF=-1 c：AF>1

57、产生低频正弦波一般可用（ C ）振荡电路；产生高频正弦波可用（ B ）振荡电路；要求频率稳定性很高，则可用（ A ）振荡电路 。 a：石英晶体；b ：LC；c ：RC。

58、希望抑制1KHz以下的信号，应采用的滤波电路是 [ B ] A.低通滤波电路 B. 高通滤波电路 C.带通滤波电路 D. 带阻滤波电路

59、有用信号频率为7Hz,应采用的滤波电路是 [ C ] A.低通滤波电路 B. 高通滤波电路 C.带通滤波电路 D. 带阻滤波电路 60、乙类互补对称功率放大电路（OCL）会产生 C 失真。

A.饱和失真

B. 截止失真

C.交越失真

61、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真 62、当低频放大电路输入信号幅值大时，常采用 B 来进行分析计算。 A.微变等效电路法

B．图解法

C．矢量法

63、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 A 。

A．交流功率 B．直流功率 C．平均功率 64、功率放大电路的转换效率是指 B 。

A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比

B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比

C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

65、若图示电路中晶体管饱和管压降的数值为│UCES│，则最大输出功率POM＝ C 。

11(VCCUCES)2(VCCUCES)2(VUCES) A．CC B．2 C．2RL2RL2RL2

三、分析计算题。（7小题，共60分）

1、电路如图所示，二极管为理想二极管（或设二极管导通电压UD＝0.7V），试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压UA0的值。

导通, -6.7V

2、电路如图所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uo的波形。设二极管正向导通电

压可忽略不计（理想模型）。(限幅电路)

2、已知电路如图，ui =10sint v,Ε=5v,二极管正向导通电压忽略不计（或设二极管导通电压UD＝0.7V），试画出输出电压uo的波形。

形，并标出幅值。

2、电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波

3、并联型稳压电路如图所示，若UI=22V，硅稳压管稳压值Uz=5V，负载电流IL变化范围为(10～30)mA。设电网电压(UI)不变。试估算:

（1）Iz不小于5mA时所需要的R值是多少? （2）在选定R后Iz的最大值是多少?

3、稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500。试求：

当Ui20V当Ui20V,RL1K时，U0? ,RL100时，U0?

3、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。

解:UO1＝6V，UO2＝5V。

3、已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电

流IZmax＝25mA。

（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；

（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UORLUI3.33V

RRL 当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最 图P1.9 小稳定电流IZmin，所以

UO＝UZ＝6V 同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。

（2）IDZ(UIUZ)R29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。

4、放大电路如图所示。晶体管的β，UBE，rbe为已知。

（1）画出该电路的直流通路，写出静态工作点Q 的表达式。

（2）画出该电路的交流h参数微变等效电路，写出电压放大倍数Au 、输入电阻ri 、输出电阻ro的表达式。

4、工作点稳定的共射放大电路如图所示。 (1)写出计算静态工作点Q的表达式；

(2)画出放大电路的h参数微变等效电路图；

(3)写出中频电压放大倍数Au，输入电阻ri，输出电阻ro的表达式。

4、电路如图所示，晶体管的＝60，rbb'=100Ω。

、Ri和Ro； （1）求解Q点、Au（2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？若C3开路，则Ui＝？Uo＝？ 解：（1）Q点：

IBQ ICQVCCUBEQRb(1)Re31μ A

 IBQ1.86mA UCEQVCCIEQ(RcRe)4.56V、Ri和Ro的分析： Au rberbb'(1)

26mV952IEQ

RiRb∥rbe952 Au(Rc∥RL)rbe95 RoRc3k （2）设Us＝10mV（有效值），则

RiUs3.2mVRsRi U304mV UoAui Ui 若C3开路，则

RiRb∥[rbe(1)Re]51.3kRc∥RL1.5AuReRiUiUs9.6mVRsRiU14.4mVUoAui

4、放大电路如下图所示，已知：VCCRB2

=39

k，RC=3.9

k，RE

电流放大系数=12V，RS=10k，RB1=120=2.1k，RL=3.9

0.6V)；

k，rbb’

k，

=200，

=50，电路中电容容量足够大，要求：

和UCE(设UBE

1．求静态值IB，IC

2．画出放大电路的微变等效电路；

3．求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro。

4．去掉旁路电容CE，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？并求电压放大倍数Au，输入电阻Ri。

+VCC

RB1 C1 RS us RB2 RE RC V + CE RL

+ C2

解: (1) UBRB2RB1RB2VCC2.9V UEUBUBE2.3 V

ICIEUE1.09 mA REIBIE0.02 mA

UCEVCC(RCRE)IC5.46 V rbe20051261.4k 1.09(3) AuAus(RC//RL)rbe70 RiRB1//RB2//rbe1 k RORC3.9 k

uoRiAu17.8 RiRB1//RB2//[rbe(1)RE]3.44 k usRiRs(4) Au(RC//RL)0.9

rbe(1)RE5、判断图中所示电路中是否引入了交流负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件

或A。下的电压放大倍数A设图中所有电容对交流信号均可视为短u fu s f路。

6、已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。

（1）指出电路中D1和D2管的作用。

（2）说出静态时晶体管发射极电位UEQ为多少？ （3）计算最大不失真输出功率Pom的值？

6、电路如图所示，已知T1和T2的饱和管压降假设为0，直流功耗可忽略不计。

回答下列问题：

（1）R3、R4和T3的作用是什么？

（2）负载上可能获得的最大输出功率Pom和电路的转换效率η各为多少？

解：（1）消除交越失真。

（2）最大输出功率和效率分别为

Pom

(VCC)220.25W2RLπ4

78.5%6、互补对称功率放大电路如图所示，已知电路已调节好，波形无失真。设V1、V2管的参数为PCM=700mW， ICM=700mA，U(BR)CEO=30V，UCES=2V，负载电阻 RL=16Ω。若要求负载上的最大不失真功率为2W，试计算： (1)电源电压VCC的大小；

(2)三极管的PCM、ICM、U(BR)CEO是否满足要求。

7、A1、A2与相应的元件各组成何种运算电路？试分别写出uo1、uo2的表达式；试推导电路输出电压与输入电压之间的关系。

7、电路如图所示,写出uo=f(uI)的关系式。

7、电路如图，VI1＝1V,VI2＝2V,VI3＝3V,VI4＝4V, A1、A2、A3与相应的元件各组成何种运算电路？试分别写出VＯ１、VＯ２、VＯ的表达式并求值。

10KVI1 VI2 VI3 10K10K10K2.5 V01 30K20KVI4 30K V0 V02

四、综合题。（8分，附加分7分）

1、电路如图所示，按下列要求分别接成所需的两级反馈放大电路： （1）具有低的输入电阻和稳定的输出电流； （2）具有高的输出电阻和输入电阻。