衬底温度对ZnO_Al薄膜结构和光透过性能的影响_王玉新

２０１２年１２月Ｄｅｃ．０１２）　２ＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉａｏｎｉｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ　　　　　ｇｙ（　（）１０００１７３５２０１２０４０４７８０４　　文章编号：－－－衬底温度对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜结构和光透过性能的影响王玉新，　孙景昌，　郑亚茹，　王晓雪，　梁　鸣，　林茂魁，　崔　硕

（）辽宁师范大学物理与电子技术学院，辽宁大连　１１６０２９

摘　要：利用超声喷雾热解方法以不同的沉积温度（在石英衬底上制备出４５０～５３０℃）（具备较高光学质量的Ｚ薄膜．通过Ｘ射线衍射谱（研究了薄膜的结ｎＯ：ＡｌＡＺＯ）ＸＲＤ）构，用扫描电子显微镜（研究了薄膜的表面形貌，用紫外可见（分光光度计对ＳＥＭ）ＵＶ）结果表明：所制备薄膜在可见波段具有较高透过率，薄膜的光透过特性进行了测试分析．

并且沉积温度对Ａ在衬底温度为４ＺＯ薄膜的结构和光透过性能有很大影响．７０℃时得）择优取向，结晶质量最好、光透过率最高，在可见光区平均透过到的ＡＺＯ薄膜具有（００２率达到８５％以上．

关键词：超声喷雾热解；透过率；薄膜结构ＡＺＯ薄膜；中图分类号：Ｏ４８４．１　　　文献标识码：Ａ

属于六方纤锌矿结构．由于（晶面的ｎＯ是一种ＩＩＩ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料，００２）　　Ｚ－Ｖ所以晶体具有Ｃ轴择优取向的特性．作为直接带隙宽禁带半导体材料，表面自由能最低，ＺｎＯ在光电

］１４－、器件领域具有很大的潜力［掺杂Ａ．ｌＩｎ、Ｇａ等ＩＩＩＡ族元素原子的ＺｎＯ半导体透明导电氧化薄膜

（，简称Ｔ作为一种重要的光电信息材料得到了广泛的ＴｒａｎｓａｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＯｘｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍ，ＣＯ）　　　　ｐ

］５１０－研究［由于具有较高的可见光透过率和较强的导电性等特性，．ＴＣＯ被广泛地应用于各种光电器件

中，如太阳能电池、平板显示器件、气体敏感器件等．目前Ｔ最成熟的是氧化ＣＯ功能材料中使用最广、

［］铟锡（但Ｉ与之相比，薄膜对环境无毒、无污染、ＩＴＯ），ＴＯ材料却有很多缺陷８．Ａｌ掺杂ＺｎＯ（ＡＺＯ）

稳定性高、易于加工、对微波具有衰减性，同时又具有与Ｉ正在逐渐ＴＯ相比拟的光电特性等突出优点，

［１］

最常用的有溶胶－凝胶替代ＩＴＯ薄膜成为新一代透明导电材料１．ＡＺＯ薄膜的制备方法很多，］６７，９］１２］１３１４１５］８，１６］－－，，，法［金属有机化学沉积法［磁控溅射法［脉冲激光沉积法［和喷雾热分解法［等，其中超

容易实现掺杂，且工艺简单，是一种非常经济的制备方声喷雾热分解法可在常压下实现薄膜的制备，

、法．采用超声喷雾热解法在石英衬底上制备了一系列Ａ并借助Ｘ射线衍射谱（扫描电ＺＯ薄膜，ＸＲＤ）子显微镜（和紫外－可见分光光度计（对薄膜进行了表征，研究了衬底温度对结构和光ＳＥＭ）ＵＶ光谱）透过性能的影响．

１　实验

）采用超声喷雾热解法在石英衬底上沉积Ａ前驱体溶液为乙酸锌（ＺＯ薄膜，Ｚｎ（ＣＨＯＯ）２Ｈ３Ｃ２·２Ｏ

２０１２０９２７－－　　收稿日期：

）；）基金项目：国家自然科学基金项目（大连市科学技术基金项目（１１００４０９２２０１１Ｊ２１ＤＷ０１３

，：作者简介：王玉新（女，辽宁辽阳人，辽宁师范大学副教授，博士．１９７４Ｅ－ｍａｉｌｕｘｉｎｗａｎ１７８＠ｓｉｎａ．ｃｏｍ－）ｙｙ

第４期王玉新等：ｎＯ：Ａｌ薄膜结构和光透过性能的影响　衬底温度对Ｚ４７９　

（／和硝酸铝（的水溶液，溶液中ｎ前驱体溶液经超声ＡｌＮＯ９Ｈ２Ｏ）ｎＡ∶０．０４．３）３·Ｚｎｌ物质的量比值为１雾化后在Ｏ乙醇及去离子水超声清洗过的石英玻璃衬底，２载气的作用下携送至喷嘴到达已被丙酮、／，完成雾化热解过程．实验中的各个参数如下：载气流量为１．喷嘴到衬底之间的距离为４ｃ６Ｌｍｉｎｍ，，喷雾时间为１衬底温度从４待反应完成后关闭加热器使衬底自然冷却后再０ｍｉｎ５０～５３０℃之间变化．取出样品．

（／为了表征Ａ采用Ｘ射线衍射多晶衍射仪（ＺＯ薄膜的晶体结构和表面形貌，ＸＲＤ）ＲｉａｋｕＤ　ｇ进行物相分析，用ＪＭＡＸＰＳＰＣＭＤＧ２０００，ＣｕＫα，１５４０５９８ｎｍ）ＳＭ－６３６０ＬＶ型扫描电子显微　　　λ＝０．　　镜（观察样品的表面形貌．为表征薄膜的光透过性能，采用ＵＶＳＥＭ）３６００紫外－可见分光光度计测量了样品的光透过率．

２　结果与讨论

２．１　ＸＲＤ分析

图１为衬底温度为４在石英衬底上制备的Ａ由图５０，４７０，５００，５３０℃时，ＺＯ薄膜样品的ＸＲＤ谱．可知，温度偏低或偏高，特别是衬底温度为４当衬底ＡＺＯ薄膜的结晶性能都变差，５０℃时出现非晶态．吸附在石英衬底上的原子能量就比较低，使得原子在到达能量最低的位置之前就进入了温度较低时，

（）晶格的位置，使Ａ取向性变差；当衬底温度升高至４峰衍射强度最ＺＯ薄膜的结晶较差，７０℃时，００２半高宽最窄，说明薄膜有较好的结晶性能，晶粒尺寸最大；但随着温度的继续升高，强，ＡＺＯ薄膜的（））衍射峰逐渐减弱而（晶向的强度逐渐增大．这表明较高的衬底温度有助于吸附在石英衬底上００２１０１加速迁移到适合的成核位置，使Ａ但温度过高使得Ａ原子的扩散、ＺＯ薄膜的结晶质量提高，ＺＯ分子造成晶体择优取向变差．由此可见，衬底温度是影响Ａ中有多余的能量而导致薄膜的非平衡生长，ＺＯ薄膜结构的重要因素，在此实验条件下其最佳温度为４７０℃．

图１　不同衬底温度下ＡＺＯ薄膜的ＸＲＤ图像

Ｆｉ．１　ＸＲＤｏｆＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｓａｔｔｅｒｎｓｒｏｗｎ　　　　　　　　　　ｇｐｇｐ

２．２　ＳＥＭ分析

（））图２分别是衬底温度为４从图中可以看出，当温度从ａｄ５０，４７０，５００，５３０℃时的ＳＥＭ照片．～（

粗糙度明显下降，此时薄膜结构致密均匀，没有大尺４５０℃升高至４７０℃时薄膜表面平整度大幅提高，

寸缺陷且光洁度好，因而满足光学薄膜质量方面的要求．当温度进一步升高时，薄膜表面平整度转而呈下降趋势．在衬底温度适中时，薄膜内的原子能够获得足够的能量在衬底表面发生迁移，促进晶粒的生长，使得晶粒间的空隙和缺陷变小．而当温度过低时原子迁移所需的能量不足，温度过高又会降低晶粒的附着寿命．因此衬底温度是薄膜质量优劣的关键因素，此结论与ＸＲＤ结果相吻合．

４８０　

辽宁师范大学学报（自然科学版）

第３５卷

图２　不同衬底温度下的ＳＥＭ照片

Ｆｉ．２　ＳＥＭｉｍａｅｏｆＡＺＯｆｉｌｍｓｒｏｗｎａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｓ　　　　　　　　　ｇｇｐｇ

２．３　透射光谱分析

在不同沉积温度条件下制备的ＡＺＯ薄膜样品的透射光谱如图３所示，从图中可看出，这些在可见光区平均透过率薄膜有着较高的透过率，

都在７并且在紫外区都有一个陡峭的吸０％以上，且波长位置相差不大，说明衬底温度对禁收边，

９］带宽度影响不大［通过对４个样品的透射谱的．

研究发现，ＡＺＯ薄膜的透过率与沉积温度的升高即随沉积温度的升高，呈规律性变化，ＡＺＯ薄膜的透过率先升高后降低．所以，沉积温度过高或而是有一个最佳值．由Ｘ者过低都不好，ＲＤ实验结果分析我们可以发现，当温度为４５０℃时还没所以薄膜的透过率较低．随温有形成取向生长，

度的升高，ＡＺＯ薄膜的可见光透过率出现上升的趋势，我们认为温度的升高使晶体结晶性能得以

图３　不同衬底温度下ＡＺＯ薄膜的透过率谱ｒｏｗｎＦｉ．３　ＴｈｅｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｏｆＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ　　　　　　ｇｇ

ａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｓ　　　ｐ

改善，从而可见光透过率提高．当沉积温度为４７０℃时，ＡＺＯ薄膜在可见光范围的平均透射率达到而５透过率又呈现下降的趋势，可能是因为薄膜的表面形貌变得不８５％以上．００，５３０℃条件下的样品，平整、粗糙多孔，可见光在薄膜表面的散射效应增强，从而减小了可见光范围的平均透射率．ＡＺＯ薄膜的高透过率可以作为光电二极管中的透明电极或太阳能电池的窗口材料．

３　结论

、采用超声喷雾热解法，分别以乙酸锌和硝酸铝为ＺｎＡｌ源且其摩尔比为１∶０．０４的条件下在石英衬底上制备出高光学质量Ａ研究了衬底温度对Ａ表面形貌及光透过性能ＺＯ薄膜，ＺＯ薄膜的结构、）结果表明，在衬底温度为４沿（方向择优生长，结晶质量的影响．７０℃下所得的样品表面均匀光滑，００２最好、光透过率最高．

第４期王玉新等：ｎＯ：Ａｌ薄膜结构和光透过性能的影响　衬底温度对Ｚ４８１　

参考文献：

［］［］，（）：１ＯＯＫＤＣ．ＲｅｃｅｎｔａｄｖａｎｃｅｉｎＺｎＯ　ｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄｄｅｖｉｃｅｓＪ．ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｉｎｅｅｒ２００７，２４４９３０２７３０７３．　Ｌ　　　　　　　　　　－ｇ

［］２ＲＥＰＥＬＩＴＡＰ，ＭＥＤＩＡＮＵ　Ｒ，ＳＢＡＲＣＥＡＢ，ｅｔａｌ．Ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｕｓｉｎｄｉｆｆｅｒｅｎｔｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｏｎｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄｏｔｉｃａｌｃｈａｒａｃ　Ｐ　　　　　　　　　　　　　－ｇｐ　

［］，（）：ｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓＪ．ＡｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ２０１０，２５６６１８０７１８１１．　　　　　　－ｐｐ

［］］）：张晓丹，边楠，等．衬底温度对Ｚ光电子·激光，３ｎＯ纳米结构的影响［Ｊ．２００９，２０（２２００２０３．　张霞，－［］，［］４ＥＡＲＴＯＮＳＪＬＩＭ　Ｗ　Ｔ，ＷＲＩＧＨＴＪＳ，ｅｔａｌ．ＺｎＯａｎｄｒｅｌａｔｅｄｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｓｅｎｓｏｒｓａｎｄｌｉｈｔｅｍｉｔｔｉｎｄｉｏｄｅｓＪ．Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　Ｐ　　　　　　　　　　　　－　ｇｇ　

，（）：ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ２００８，３７９１４２６１４３２．　－［］５ＩＭＪＫ，ＬＥＥＪＭ，ＬＩＭＪＷ，ｅｔａｌ．ＨｉｈｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｔｒａｎｓａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｎＧａｄｏｅｄＺｎＯｆｉｌｍｓｄｅｏｓｉｔｅｄｂＲＦ　Ｍａｎｅｔｒｏｎ　Ｋ　　　　　　　　　　－　　　　ｐｇｐｇｐｐｙｇ　　

［］，（）：ｄｅｏｓｉｔｉｏｎＪ．ＪａａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｌｉｅｄＰｈｓｉｃｓ２０１０，４９４０４ＤＰ０９０４ＤＰ０９４．Ｓｕｔｔｅｒ　　　　　－－ｐｐｐｐｙｐ

［］６Ｈ，ＸＵ　Ｍ　Ｈ，ＸＵＪＷ，ｅｔａｌ．ＬｏｗｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｓｎｔｈｅｓｉｓｏｆＳｏｌｅｌｄｅｒｉｖｅｄＡｌｄｏｅｄＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｉｔｈｒａｉｄｔｈｅｒｍａｌａｎ　ＷＡＮＧ　　　　　　　　－　　－　　　　　　　－ｐｙｇｐｐ

［］，（）：ｎｅａｌｉｎＪ．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｔｅｒｉａｌｓｉｎＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ２０１０，２１６５８９５９４．ｒｏｃｅｓｓ　　　－Ｍ　　－ｇｐ　

［］］（）：赵小如，赵亮，等．人工晶体学报，７Ｈ值对溶胶－凝胶法制备的掺铝氧化锌薄膜光电性能的影响［Ｊ．２００９，３８３５８５５９０．　刘凯，－ｐ［］］（）：张海明，高波，等．超声喷雾热解法制备铝掺杂氧化锌薄膜［人工晶体学报，８Ｊ．２０１０，３９６１３７６１３８０．　严志宸，－［］，９Ｒ　Ｗ，ＹＩＣＫＳ，ＸＵＳ，ｅｔａｌ．ＳｔｒｕｃｔｕｒａｌｏｔｉｃａｌａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｏｆＡｌｄｏｅｄＺｎＯｔｒａｎｓａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｎｏｘｉｄｅｆｏｒｓｏｌａｒｒｏｅｒｔｉｅｓ　ＣＨＥ　　　　　　　　－　　　　　ｐｐｐｇｐｐ　

［］，（）：ｃｅｌｌａｌｉｃａｔｉｏｎｓＪ．ＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓＬｅｔｔｅｒｓ２０１１，４４４０１４０５．　　　－ｐｐ

［］］（）：邓宏，谢娟，等．掺Ａ光电子·激光，１０ｌ对ＺｎＯ薄膜发光性能的调控作用［Ｊ．２００６，１７３２５７２６０．　徐志强，－［］［］，１１ＯＲＴＵＮＡＴＯＥ，ＢＡＲＱＵＩＮＨＡＰ．ＲｅｃｅｎｔａｄｖａｎｃｅｓｉｎＺｎＯｔｒａｎｓａｒｅｎｔｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｔｏｒｓＪ．ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ２００５，４８７：　Ｆ　　　　　　　　　　　ｐ

２０５２１１．－［］］（）：张跃．金属有机化学气相沉积法制备Ａ硅酸盐学报，１２ｌ掺杂ＺｎＯ透明导电膜［Ｊ．２０１０，３８１２０２４．　谢春燕，－［］，１３ＨＡＮＧＺＹ，ＢＡＯＣＧ，ＹＡＯ　ＷＪｅｔａｌ．ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｄｅｏｓｉｔｉｏｎｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｏｎｔｈｅｃｒｓｔａｌｌｉｎｉｔｏｆＡｌｄｏｅｄＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｔ　Ｚ　　　　　　　　　　　　　－　　　　ｐｐｙｙｐ　

［］，（）：ｌａｓｓｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｒｅａｒｅｄｂＲＦｍａｎｅｔｒｏｎｓｕｔｔｅｒｉｎｍｅｔｈｏｄＪ．ＳｕｅｒＬｔｔｉｃｅｓａｎｄＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ２０１１，４９６６４４６５３．　　　　　　　　－ｇｐｐｙｇｐｇｐ　　

［］］：杨恢东，黄波，等．直流磁控溅射制备透明导电Ｚ科学技术与工程，１４ＡＯ薄膜退火处理时问的研究［Ｊ．２０１１，１１（６）　史君黛，

１１９２１１９５．－［］］（）：周雄图，马学鸣，等．人工晶体学报，１５ＰＥＴ上沉积Ａｌ掺杂ＺｎＯ薄膜的光电特性研究［Ｊ．２００７，３６６１２７４１２７８．　杨贵源，－［］［］１６ＯＺＡＴＩＳ　Ｍ，ＡＫＥＳＴＥＨＳ．ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＺｎＯ：ＡｌｔｈｉｎｆｉｌｍｓｏｂｔａｉｎｅｄｂｓｒａｔｅｃｈｎｉｕｅＪ．Ｍａｔｅｒｉａｌｓｃｈａｒａｃｒｏｌｓｉｓ　Ｒ　　　　　　　　　　－ｙｐｙｑｐｙｙ　　

，（）：ｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ２００７，５８４３１９３２２．－Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄ　　　　　　ｐｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｒｏｅｒｔｉｅｓｏｆＺｎＯ：Ａｌｔｈｉｎｆｉｌｍｓ　　　　　ｐｐ

ＷＡＮＧＹｕｘｉｎ，ＳＵＮ　ＪｉｎｃｈａｎＨＥＮＧ　Ｙａｒｕ，　　Ｚ　ｇｇ，ＷＡＮＧ　Ｘｉａｏｘｕｅ，ＩＡＮＧ　ＭｉｎＩＮ　Ｍａｏｋｕｉ，ＵＩＳｈｕｏ　Ｌ　Ｌ　Ｃ　ｇ，

（，，）ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｓｉｃｓａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏＬｉａｏｎｉｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔＤａｌｉａｎ１１６０２９，Ｃｈｉｎａ　　　　　　　ｙｇｙｇｙ　

：（ＡｂｓｔｒａｃｔＺｎＯ：ＡｌＡＺＯ）ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｉｔｈｂｅｔｔｅｒｏｔｉｃａｌｗｅｒｅｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｏｎｒｏｅｒｔｉｅｓｒｅａｒｅｄｕａｒｔｚ　　　　　　　　　ｐｙｐｐｐｐｑ　ｂｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓｒａｍｅｔｈｏｄａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｓ（４５０～５３０℃）．ｒｏｌｓｉｓｓｕｂｓｔｒａｔｅ　　　　　　　ｙｐｙｐｙｙｐ　　

，ｍｏｒｈｏｌｏｉｃａｌａｎｄｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｏｆＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｉｎｖｅｓｔｉａｔｅｄｂＸｒａＳｔｒｕｃｔｕｒａｌｒｏｅｒｔｉｅｓ　　　　　　　　　　－ｐｇｇｙｙｐｐ　（，（ｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｓｅｃｔｒｏｓｃｏＸＲＤ）ｓｃａｎｎｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏＳＥＭ）ａｎｄＵＶ－Ｖｉｓｓｅｃｔｒｏｈｏｔｏｍ－　　　　ｐｐｐｙｇｐｙｐｐ　（，ｅｔｅｒＵＶ）．Ｅｘｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔａｌｌｔｈｅｄｅｏｓｉｔｅｄｆｉｌｍｓｈａｖｅｏｏｄｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅａｎｄｔｈｅ　　　　　　　　　　　ｐｐｇｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｈａｓｓｉｎｉｆｉｃａｎｔｌｅｆｆｅｃｔｓｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＡＺＯｓｕｂｓｔｒａｔｅｒｏｅｒｔｉｅｓ．Ｔｈｅ　　　　　　　　　ｐｇｙｐｐ　（）ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｄｅｏｓｉｔｅｄａｔ４７０℃ｇｒｏｗｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｌｉｎｔｈｅ００２ｄｉｒｅｃｔｉｏｎｗｉｔｈｂｅｔｔｅｒｃｒｓｔａｌｌｉｎｅｕａｌｉｔ　　　　　　　　　　ｐｐｙｙｑｙ　ａｎｄｈｉｈｅｒｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ．Ｔｈｅａｖｅｒａｅｏｔｉｃａｌｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｉｎｔｈｅｖｉｓｉｂｌｅｓｅｃｔｒｕｍｅｘｃｅｅｄｓ８５％．　　　　　　　　　　　ｇｇｐｐ：；；；ＫｅｗｏｒｄｓＺｎＯ：Ａｌｔｈｉｎｆｉｌｍｓｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓｒａｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｔｈｉｎｆｉｌｍｓｒｏｌｓｉｓ　　　　　　　ｐｙｐｙｙｙ