专利名称：一种PMOS结构的形成方法专利类型：发明专利
发明人：刘星,黄炜,徐静静,周俊申请号：CN201811133099.7申请日：20180927公开号：CN109103111A公开日：20181228
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种PMOS结构的形成方法，包括：步骤S1，提供一N型衬底，N型衬底的上表面制备有堆叠的栅氧化层以及栅极结构；步骤S2，采用一第一离子注入工艺对N型衬底暴露出的上表面进行轻掺杂，以在N型衬底中形成轻掺杂源漏极结构；步骤S3，于栅极结构的侧壁形成侧墙结构；步骤S4，采用一第二离子注入工艺对N型衬底暴露出的上表面进行重掺杂，以在N型衬底中形成重掺杂源漏极结构；其中，所述第一离子注入工艺和第二离子注入工艺在N型衬底中形成了总含量为1*10^14/cm～2*10^15/cm的氟离子；能够改善硼离子穿通栅氧化层的现象，提高栅氧化层的质量，同时抑制PMOS结构的负偏压不稳定性。
申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：俞涤炯
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