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一种硅掺杂氧化锌薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用[发明专利]

来源:九壹网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种硅掺杂氧化锌薄膜的制备方法及其制备的薄膜

和应用

专利类型:发明专利

发明人:周明杰,王平,陈吉星,黄辉申请号:CN201110044942.6申请日:20110224公开号:CN102650035A公开日:20120829

摘要:本发明涉及半导体材料制备领域,提供一种硅掺杂氧化锌薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用,其方法包括如下步骤:将SiO粉体和ZnO粉体混合,烧结作为SZO靶材,SiO与ZnO的质量比为1/199~1/66;将SZO靶材装入磁控溅射腔体内,抽真空,设置溅射参数,在衬底上溅射硅掺杂氧化锌薄膜。本发明还提供采用此方法获得的硅掺杂氧化锌薄膜及其在半导体光电器件中的应用。

申请人:海洋王照明科技股份有限公司,深圳市海洋王照明技术有限公司

地址:518052 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层

国籍:CN

代理机构:深圳中一专利商标事务所

代理人:张全文

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