专利名称：一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备
方法
专利类型：发明专利
发明人：褚君浩,窦亚楠,张传军,李钊明申请号：CN201110004888.2申请日：20110111公开号：CN102157570A公开日：20110817
摘要：本发明公开了一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法，该复合钝化减反膜由依次置于晶体硅太阳电池迎光面发射极上的氧化硅层、非晶氧化铝层和非晶氮化硅层构成。该方法是采用PECVD工艺或ALD工艺在晶体硅太阳电池迎光面发射极上制备a-AlO层；采用退火工艺在发射极层和a-AlO层之间形成SiO层；采用PECVD工艺在a-AlO层上制备a-SN层。本发明的优点是：a-SiN减反射膜减反射效果佳，a-AlO/SiO复合钝化膜，起化学钝化和场钝化的双重效果，钝化效果优良；a-SiN/a-AlO/SiO复合钝化减反射膜热稳定性好与后续电池制备工艺兼容；抗UV性能良好。
申请人：上海太阳能电池研究与发展中心
地址：201201 上海市浦东龙东大道6101号8栋1楼
国籍：CN
代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：郭英
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