（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010134887.9 （22）申请日 2020.02.28
（71）申请人 深圳第三代半导体研究院
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
（10）申请公布号 CN111415857A
（43）申请公布日 2020.07.14
（72）发明人 蒋卓汛;方志来;闫春辉;吴征远;田朋飞;张国旗 （74）专利代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 阎冬
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种氧化镓材料的氮化方法
（57）摘要
本发明公开了一种氧化镓材料的氮化方
法，通过热氮化生长，自氧化镓层上表面向氧化镓层下表面扩散生长氮化镓层。该发明提供了一种工艺简单且可重复的氧化镓材料的氮化方法，可实现氧化镓纳米结构、薄膜、体材料向氮化镓材料的转化，制备的氮化镓材料可用于制备氧化镓与氮化镓的异质结，以及基于异质结的晶体二极管、晶体三极管等电子器件。本发明中的氮化方法，为氮化镓纳米结构的制备提供了新思路，
为基于氧化镓与氮化镓的异质结器件制备提供了新方法。
法律状态
法律状态公告日
2020-07-14 2020-07-14 2020-08-07
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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