专利名称：高频振荡电路专利类型：发明专利发明人：土生俊也
申请号：CN201510091978.8申请日：20150228公开号：CN104883129A公开日：20150902
摘要：本发明涉及高频振荡电路。在用于ICP发光分析装置的等离子体生成用途等的大功率用的自激式高频振荡电路中，以低廉的成本来稳定地使自激振荡产生。在包括感应线圈(9)、电容器(36)等的LC共振电路(30)中，配置启动用变压器的次级绕组(38)，对与该绕组(38)磁耦合的初级绕组(5)连接由克拉普振荡电路等构成的启动部(6)。仅在启动时的一定期间内，使启动部(6)动作而通过初级绕组(5)、次级绕组(38)在LC共振电路(30)中感应出高频电流。由此，在与初级绕组(32、33、34、35)磁耦合的全桥驱动电路(10)中的各次级绕组(11、14、17、20)中流过电流，在MOSFET(13、16、19、22)的栅极-源极之间产生电压，MOSFET(13、16、19、22)的导通/截止动作开始，自激振荡开始。
申请人：株式会社岛津制作所
地址：日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地
国籍：JP
代理机构：上海市华诚律师事务所
代理人：肖华
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