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专利名称：具有成形边缘的半导体晶片的制造方法专利类型：发明专利
发明人：约阿希姆·马特斯,安东·胡贝尔,约尔格·默泽申请号：CN200710101112.6申请日：20070426公开号：CN101071770A公开日：20071114
摘要：本发明涉及一种具有成形轮廓的半导体晶片的制造方法，包括以下步骤：将所述半导体晶片与晶体分离；边缘轮廓制造步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得相对于目标轮廓真正成比例的轮廓；机械加工步骤，其中所述半导体晶片的厚度被减小；以及边缘轮廓机加工步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得所述目标轮廓。
申请人：硅电子股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：蔡胜利
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