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专利名称：多栅结构MOSFET模型的建模方法专利类型：发明专利发明人：何佳
申请号：CN201010118016.4申请日：20100303公开号：CN102194691A公开日：20110921
摘要：本发明公开了一种多栅结构MOSFET模型的建模方法，所述方法包括：测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数，所述SA和SB分别为所述MOSFET元件两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离，所述SD为相邻两根栅之间的距离；根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数，根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。本发明的多栅结构MOSFET模型的建模方法可以正确建立多栅结构MOSFET模型，提高多栅结构MOSFET模型的仿真结果与实际MOSFET元件的电路参数的一致性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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