1、代码翻译、单步仿真、画结构图
# (c) Silvaco Inc., 2013
go athena
#
line x loc=0.00 spac=0.2
line x loc=1 spac=0.1
line x loc=1.1 spac=0.02
line x loc=2 spac=0.25
#
line y loc=0.00 spac=0.02
line y loc=0.2 spac=0.1
line y loc=0.4 spac=0.02
line y loc=2 spac=0.5
#
init silicon c.phos=5.0e18 orientation=100 two.d#第1次单步仿真
#
deposit oxide thick=0.50 divisions=5#第2次单步仿真
#
etch oxide left p1.x=1#第3次单步仿真
implant boron dose=1.0e15 energy=50 pearson tilt=7 rotation=0 amorph
# 第4次单步仿真，结构图+杂质分布图
method fermi compress
diffus time=30 temp=1000 nitro press=1.00
#第5次单步仿真，结构图+杂质分布图
extract name=\"xj\" xj material=\"Silicon\" mat.occno=1 x.val=0 junc.occno=1
#
extract name=\"rho\" sheet.res material=\"Silicon\" mat.occno=1 x.val=0 region.occno=1
etch oxide all#第6次单步仿真
deposit alum thickness=0.2 div=3#第7次单步仿真
etch alum right p1.x=1.0#第8次单步仿真
electrode name=anode x=0.0
electrode name=cathode backside
structure outf=diodeex05_0.str
tonyplot diodeex05_0.str -set diodeex05_0.set
go atlas
models bipolar bbt.std print
impact selb
method newton trap maxtrap=10 climit=1e-4
solve init
log outf=diodeex05.log
solve vanode=-0.25 vstep=-0.25 vfinal=-10 name=anode
tonyplot diodeex05.log -set diodeex05_log.set
extract init infile=\"diodeex05.log\"
extract name=\"bv\" min(v.\"anode\")
extract name=\"leakage\" x.val from curve(v.\"anode\y.val=1e-10
Quit
2、对比仿真
（1）扩散时间、气体氛围类型和气体分压不变，改变扩散温度：
where
diffus time=30 temp=1000 nitro press=1.00
960℃、1000℃、1100℃
（2）扩散温度、气体氛围类型和气体分压不变，改变扩散时间：
20min、30min、40min
implant boron dose=1.0e15 energy=50 pearson tilt=7 rotation=0 amorph
（3）注入离子浓度、离子能、注入离子束和仿真面的角度不变，设定注入步骤众硅晶格结构为amorph，改变注入离子束与晶圆法线的角度：
2，7，10
（4）注入离子浓度、注入离子束与晶圆法线的角度和注入离子束和仿真面的角度不变，注入步骤众硅晶格结构为amorph，改变离子能量：
30keV，50keV，60keV
（5）注入离子能量、注入离子束与晶圆法线的角度和注入离子束和仿真面的角度不变，注入步骤众硅晶格结构为amorph，改变离子浓度：
2.0e15，1.0e15，0.5e15
init silicon c.phos=5.0e18 orientation=100 two.d#
（6）初始化Si衬底，晶向不变，改变衬底含磷浓度：
3.0e18，5.0e18，7.0e18
