（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN200510029146.X （22）申请日 2005.08.26
（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
（10）申请公布号 CN100505184C
（43）申请公布日 2009.06.24
（72）发明人 宁先捷;保罗
（74）专利代理机构 北京市金杜律师事务所
代理人 李勇
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法
（57）摘要
金属硅化物制作中的选择性离子注入
预非晶化方法，是PMOS场效应晶体管中进行应变源漏的硅锗外延生长后，通过对硅锗外延生长的区域进行离子注入预非晶化，使其在形成金属硅化物过程中的反应温度降低，从而与硅及多晶硅的形成金属硅化物的反应温度接近或一致，以便得到均匀的金属硅化物层，保证片电阻的均匀性。 法律状态
法律状态公告日
2007-02-28
公开
法律状态信息
公开
法律状态
法律状态公告日
2007-04-25 2009-06-24 2012-01-04
授权
法律状态信息
实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移
授权
法律状态
实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移
权利要求说明书
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说明书
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