SST系列存储器
SST28SF040 512k×8位 EEPROM 512k×8bit存储容量，单一读写工作电压：
SST28SF040A为4.5-5.5V，SST28VF040A为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为15mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
可供此芯片，需要请联系我们
数据手册（英文）
SST28VF040 512k×8位
EEPROM
512k×8bit存储容量，单一读写工作电压：
SST28SF040A为4.5-5.5V，SST28VF040A为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为15mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
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SST29EE512 k×8位 EEPROM
k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST29EE512
为4.5-5.5V，SST29LE512为3.0-3.6V ，SST29VE512为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
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数据手册[Datasheet]
SST29EE010 128k×8位
EEPROM
k×8bit存储容量，单一读写工作电压：
SST29EE010为4.5-5.5V，SST29LE010为3.0-3.6V ，SST29VE010为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
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k×8bit存储容量，单一读
写工作电压：SST29EE020为4.5-5.5V，SST29LE020为3.0-3.6V ，SST29VE020为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。 们
可供此芯片，需要请联系我 数据手册（英文）
SST29EE020
256k×8位 EEPROM
