《电子技术》第一章复习
一、填空题
1导电能力介于 __________ 和 __________ 之间的物质称为半导体，半导体
材料的代表物质是 ____________ 和 ___________ 。 2. 在本征半导体中掺入微量杂质，就会使半导体导电能力显著 地 __________ 。
3. ___________________________________________________________ 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流称为 ___________________o 4. _____________________________________ 杂质半导体按导电类型分为 __________________________________________ 和 __________________ 两种。 5. __________________________________ PN结又叫空间电荷区，也叫 层或 ______________________________________ 层。 6 .二极管的主要参数：反映正向特性的 的 ________ o
7.温度 ___________ 将使半导体的导电能力大大增强。
8 三极管工作时，通常在它的 ______________ 加正向电压， ______________加 反向电压。
9. ______________________________________ 穿透电流越大，则三极管性能越 _________________________________________ o 10. 对于NPN型三极管，当VBEV 0，VBcV 0时，三极管处于 _____________状 ^态o
\".三极管集电区比发射区体积大且掺杂 ___________ ，利于收集载流子。 12 .三极管从结构上看可以分成 ___________ 和 __________ 两种类型.它们工
__________ 和反映反向特性
作时有 _________ 和 _______ 两种载流子参与导电，场效应管从结构上分成 和 ________ 两种类型•它们的导电过程仅取决于 _______________ 载流子的流 动。
13. _________________________ 晶体三极管属于 __________________ 控制型器件，场效应管属于 _________ 控制 型器件。
14. ___________________________ 场效应管有三个电极 _________ 极， 极和 ______________________________ 极。 15. __________________________________________ 场效应管的输出特性曲线是指在一定的 ________________________________ 下， _______ 和 _____ 之间的关系曲线•其输出特性曲线分为三个区即 ____________ 区， _______ 区 禾口 ________ 区。 二、选择题 1.
A.小信号检波 B.大功率整流
面接触型晶体二极管比较适用于（）。
C.大电流幵关D.小电流整流
）。
2•半导体受光照后， 其导电能力会（ A.增大 3.
A.可调电阻区
B. 减小 C. 不变 D. 丧失
场效应管的线形放大区是（ ）。
B.饱和区 C.截止区 D.击穿区
）。
4. 当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（ A.少数载流子
B.
多数载流子
D. 无法判断
C.既有多数载流子又有少数载流子
5. 当硅晶体二极管加上为 0.3V正向电压时，该晶体二极管处于（ ）
状态。 A.小阻值电路 6.
A.输入电阻高 7. B.阻值很大的电阻 C.截止状态 D.内部击穿
场效应管的主要特点是（ ）。
B.输入电阻小 C.噪声大 D.耗电大
晶体三极管工作在饱和状态时，它的
IC将（
C.与I B无关，只决定于FE和VG D. 不变
A.控制极加正偏电压 B.漏极 C.源极B. 加反向电压D. 栅极
C.加大于死区的正偏电压 D. 加小于死区电压的正向电压 9.场效应管三个电极中，用
G 表示的电极称为（
8.
半导体二极管导通的必要且充分条件是（ ） 10.当温度升高时，PN结的导能电压将（ ）。
A.变大 B.变小 C.不变 D. 可能变大也可能变小 三、分析计算题
1.已知三极管的lc=3mA B =50,求IB、IE的值？
2. 某三极管的 1 脚流进电流为 4mA， 2 脚流出的电流为 3.95mA，电流为50卩A,判断各管脚名称，并指出管型。
3.
极管的对地电位，试判断各三极管处于何种工作状态。
3 脚流出 的 根据三NPN型为
硅管，PNP型为错管）
