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专利名称：图像传感器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：朴正秀
申请号：CN200810215301.0申请日：20080901公开号：CN101378069A公开日：20090304
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括位于衬底上的具有第一离子注入层的第一外延层、具有第二离子注入层的第二外延层以及具有第三离子注入层的第三外延层。第一、第二和第三离子注入层可分别提供红光、绿光以及蓝光光电二极管。可在第三外延层中且在第三离子注入层上形成沟槽，以移除第三外延层的损坏表面，从而可抑制漏电现象的发生。
申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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