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半导体芯片中的电容[实用新型专利]

来源:九壹网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:半导体芯片中的电容专利类型:实用新型专利发明人:许刚

申请号:CN200820057145.5申请日:20080410公开号:CN201207394Y公开日:20090311

摘要:本实用新型揭示了一种半导体芯片中的电容,包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层;所述每层金属层呈六边形网状结构。本实用新型能够更佳充分地利用空间,使得金属层的侧表面积可以得到充分利用,从而增加电容的密度;同时,充分利用了通孔的侧面电容,使得等效寄生电容得到提高。这在深亚微米集成电路制造工艺更有意义。

申请人:捷顶微电子(上海)有限公司

地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区春晓路149号主楼1楼

国籍:CN

代理机构:上海光华专利事务所

代理人:余明伟

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