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专利名称：一种生产单晶硅的方法专利类型：发明专利发明人：王军,郭大伟,王楠申请号：CN201210020267.8申请日：20120129公开号：CN103225110A公开日：20130731
摘要：本发明涉及单晶硅技术领域，尤其涉及一种生产单晶硅的方法，包括在坩埚底部放置方单晶；在所述方单晶上放置硅料及合金；将所述坩埚放置在单晶硅炉内，经过加热、熔化、长晶、退火和冷却的过程，获得单晶硅锭；其中，所述熔化过程中当所述方单晶熔化到规定深度后，开始所述长晶过程；切割所述单晶硅锭，获得单晶硅片。使用本发明实施例提供的单晶硅生产的方法，通过将放置在坩埚中锋的方单晶熔化到规定深度后，再开始长晶过程，使得长晶时以熔化到规定深度的方单晶为晶核。而且，在长晶过程中控制长晶速度，由此提高单晶硅片的生产效率。
申请人：北京京运通科技股份有限公司
地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号
国籍：CN
代理机构：北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人：李娟
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