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专利名称：一种粗化表面发光二极管制作方法专利类型：发明专利
发明人：潘群峰,吴志强,林科闯申请号：CN201010517842.6申请日：20101025公开号：CN1019386A公开日：20110202
摘要：本发明公开了一种粗化表面发光二极管制作方法，利用电化学蚀刻粗化未掺杂氮化镓外延层，在发光二极管结构中引入须状体粗化形貌，既避免了降温外延生长带来的电性劣化，又避免了氮极性面粗化薄膜芯片的复杂工艺和低成品率，可以获得工艺简单、低成本、高取光效率的粗化表面氮化镓基发光二极管。
申请人：厦门市三安光电科技有限公司
地址：361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721号
国籍：CN
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