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专利名称：双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：海潮和,毕津顺,孙海峰,韩郑生,赵立新申请号：CN200710063371.4申请日：20070110公开号：CN101221957A公开日：20080716
摘要：本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种双栅全耗尽SOI CMOS器件，该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的n型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明同时公开了一种制备双栅全耗尽SOI CMOS器件的方法。利用本发明，提高了源漏击穿电压和沟道区载流子迁移率，降低了工艺复杂程度和器件性能的波动。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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