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专利名称：高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李玲霞,金雨馨,董和磊,于仕辉,许丹申请号：CN201410173928.X申请日：20140428公开号：CN103992110A公开日：20140820
摘要：本发明公开了一种高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为(BiZnSr)(ZnNb)O，x＝0.4；采用BiO、NbO、SrCO和ZnO为原料，于750℃煅烧，925～1000℃烧结，克服了现有技术温度稳定性较差的缺点，提供了一种满足NP0特性(在温度从-55℃到+125℃的范围之内，电容量温度系数(TCC)≤±30×10/℃)的高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法。本发明具有低的介质损耗tanδ≤0.0065，高的介电常数ε在140～150之间，电容量温度系数TCC在-30×10/℃～30×10/℃范围内。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人：张宏祥
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