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专利名称：隔离结构的制作方法专利类型：发明专利
发明人：黄怡,张海洋,沈满华,孟晓莹申请号：CN200910201195.5申请日：20091215公开号：CN102097357A公开日：20110615
摘要：一种隔离结构的制作方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，在半导体衬底内形成浅沟槽，所述刻蚀气体流量随刻蚀时间的变化而增加；在浅沟槽内壁形成衬氧化层；向浅沟槽内填充满绝缘氧化层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明器件非密集区和器件密集区的栅极结构线宽接近一致，达到目标尺寸，提高半导体器件的质量。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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